[发明专利]一种薄膜晶体管阵列基板、其制作方法及显示装置

说明书

本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板、其制作方法及显示装置，包括：衬底基板，设置在衬底基板上的栅极，以及依次设置在栅极上的栅极绝缘层和有源层；还包括：设置在衬底基板上的像素电极、公共电极和透明电极层；其中，透明电极层和像素电极/公共电极同层同材质；透明电极层位于栅极绝缘层的下方；有源层在衬底基板上的正投影位于透明电极层的正投影所在区域内。由于薄膜晶体管中的有源层正下方设置有与像素电极或公共电极同层同材质的透明电极层，可以改善薄膜晶体管所在区域的电极层残沙，使有源层的表面平整，避免由残沙引起的画面不均的现象，实现方法简单，且对栅极电阻的影响较小，可以提升产品品质。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤指一种薄膜晶体管阵列基板、其制作方法及显示装置。

背景技术

目前，高级超维场开关(Advanced Super Dimension Switch，简称：ADS)薄膜晶体管液晶显示器是通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方的所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光率。因此ADS技术可以提高产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角等优点。

ADS技术是将两层氧化铟锡(Indium Tin Oxide，简称：ITO)材料都制作在薄膜晶体管阵列基板上，分别作为公共电极和像素电极。现有ADS技术一般将公共电极制作在衬底基板的最底层，采用块状设计，而像素电极制作在最上层，采用狭缝设计，具有一定的ITO宽度间隔比。

ADS产品在生产过程中易发生污渍状画面不均，严重影响产品的良率。经分析，不良的发生机理为：与板状电极层(如公共电极)残沙相关，如图1a和图1b所示，残沙严重区域容易引起薄膜晶体管中的有源层01弯曲不平整，造成薄膜晶体管特性Ioff偏大，漏电严重，引起画面不均。

因此，如何解决板状电极层残沙引起的画面不均的问题，是本领域技术人员亟待解决的技术问题。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种薄膜晶体管阵列基板、其制作方法及显示装置，可以改善薄膜晶体管所在区域的电极层残沙，避免由残沙引起的画面不均的现象。

因此，本发明实施例提供了一种薄膜晶体管阵列基板，包括：衬底基板，设置在所述衬底基板上的栅极，以及依次设置在所述栅极上的栅极绝缘层和有源层；

还包括：设置在所述衬底基板上的像素电极、公共电极和透明电极层；其中，

所述透明电极层和像素电极同层同材质；或，所述透明电极层和公共电极电极同层同材质；

所述透明电极层位于所述栅极绝缘层的正下方；

所述有源层在所述衬底基板上的正投影位于所述透明电极层的正投影所在区域内。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述薄膜晶体管阵列基板中，所述透明电极层设置在所述衬底基板和所述栅极之间；或，

所述透明电极层设置在所述栅极和所述栅极绝缘层之间。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述薄膜晶体管阵列基板中，所述衬底基板和所述栅极之间设置有缓冲层；

所述透明电极层设置在所述衬底基板和所述缓冲层之间。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述薄膜晶体管阵列基板中，还包括：设置在所述透明电极层上的多条栅线，每条所述栅线的一部分作为所述栅极。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述薄膜晶体管阵列基板中，所述栅线在所述衬底基板上的正投影与所述透明电极层的正投影相互重叠。