[发明专利]自对准的后段工艺切口有效
| 申请号： | 201510514927.1 | 申请日： | 2015-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN105390435B | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | G·布什;A·C-H·魏;M·A·扎勒斯基 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/528;H01L23/52 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 本发明公开了自对准的后段工艺切口。具体地，本发明的实施例提供一种方法用于在后段工艺结构中的自对准金属切口。牺牲Mx+1线形成在金属Mx线上方。间隔件形成在各个Mx+1牺牲线上。该间隔件之间的间隙是用来决定该Mx金属线的切口的位置和厚度。这确保该Mx金属线的切口不会超出互连该Mx和Mx+1层的通道。它也允许用于减少通道包围规则的限制，其能够增加电流密度。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 后段 工艺 切口 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体结构的方法，其特征在于，该方法包括:在介电层中形成多个Mx金属线；在该多个Mx金属线上方沉积帽层；在该介电层上形成多个牺牲Mx+1线；相邻于各个该多个牺牲Mx+1线形成间隔件；在该多个牺牲Mx+1线上方沉积第一抗蚀层；在该第一抗蚀层中对应线切口的位置形成开口，该线切口是用于该多个Mx金属线中的至少一个Mx金属线；在对应该线切口的该位置去除该帽层；以及进行金属蚀刻以切割该多个Mx金属线中的该至少一个Mx金属线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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