[发明专利]自对准的后段工艺切口有效
| 申请号： | 201510514927.1 | 申请日： | 2015-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN105390435B | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | G·布什;A·C-H·魏;M·A·扎勒斯基 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/528;H01L23/52 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 对准 后段 工艺 切口 | ||
1.一种形成半导体结构的方法，其特征在于，该方法包括:
在介电层中形成多个Mx金属线；
在该多个Mx金属线上方沉积帽层；
在该介电层上形成多个牺牲Mx+1线；
相邻于各个该多个牺牲Mx+1线形成间隔件；
在该多个牺牲Mx+1线上方沉积第一抗蚀层；
在该第一抗蚀层中对应线切口的位置形成开口，该线切口是用于该多个Mx金属线中的至少一个Mx金属线；
在对应该线切口的该位置去除该帽层；以及
进行金属蚀刻以切割该多个Mx金属线中的该至少一个Mx金属线。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该方法进一步包括:
去除该多个牺牲Mx+1线；
在该多个Mx金属线上方沉积第二抗蚀层；
在该第二抗蚀层中对应通道的位置形成开口，该通道是用于该多个Mx金属线中的该至少一个Mx金属线；以及
形成多个Mx+1金属线和该通道。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该方法进一步包括:
在该介电层和该帽层上方沉积蚀刻停止层；以及
去除该蚀刻停止层设置在相邻的牺牲Mx+1线的间隔件之间的部分。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，沉积蚀刻停止层包括沉积氧化铝(Al2O3)。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，氧化铝(Al2O3)的沉积是采用原子层沉积工艺而执行。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，形成多个牺牲Mx+1线包括沉积氮化硅。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，形成间隔件包括沉积遵循该牺牲Mx+1线的轮廓的保形膜。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，形成间隔件包括定位该间隔件使得在相邻的牺牲Mx+1线的邻近的间隔件之间具有间隙。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，沉积帽层包括沉积氧化硅。
10.一种形成半导体结构的方法，其特征在于，该方法包括:
在介电层中形成多个Mx金属线；
在该多个Mx金属线上方沉积帽层；
在该介电层和该帽层上方沉积蚀刻停止层；
在该蚀刻停止层上形成多个牺牲Mx+1线；
相邻于各个该多个牺牲Mx+1线形成间隔件；
去除该蚀刻停止层设置在相邻的牺牲Mx+1线的间隔件之间的部分；
在该多个牺牲Mx+1线上方沉积第一抗蚀层；
在该第一抗蚀层中对应线切口的位置形成开口，该线切口是用于该多个Mx金属线中的至少一个Mx金属线；
在该帽层上对应该线切口的该位置进行等向性蚀刻；以及
进行非等向性金属蚀刻以切割该多个Mx金属线中的该至少一个Mx金属线。
11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，该方法进一步包括:
去除该多个牺牲Mx+1线；
在该多个Mx金属线上方沉积第二抗蚀层；
在该第二抗蚀层中对应通道的位置形成开口，该通道是用于该多个Mx金属线中的该至少一个Mx金属线；以及
形成多个Mx+1金属线和该通道。
12.如权利要求10所述的方法，其特征在于，沉积帽层包括沉积氧化硅。
13.如权利要求10所述的方法，其特征在于，沉积蚀刻停止层包括沉积氧化铝(Al2O3)。
14.如权利要求10所述的方法，其特征在于，形成多个牺牲Mx+1线包括沉积氮化硅或非晶硅。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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