[发明专利]一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示面板在审
| 申请号: | 201510512174.0 | 申请日: | 2015-08-19 |
| 公开(公告)号: | CN105047722A | 公开(公告)日: | 2015-11-11 |
| 发明(设计)人: | 姜涛;韩俊号;宋博韬;林亮 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L29/786 | 分类号: | H01L29/786;H01L21/336;H01L27/12;G02F1/1368 |
| 代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 任嘉文 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | 本发明提供了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示面板,用以降低用于实现第一公共电极与第二公共电极连接的过孔的深度,从而提高第二公共电极搭接第一公共电极的成功率,同时降低PI涂覆时出现显示面板坏点的现象。该薄膜晶体管从下向上依次包括栅极、与栅极同层设置的第一公共电极、位于栅极所在层之上的栅极绝缘层、有源层、像素电极、源漏极层、钝化层、以及位于钝化层之上的第二公共电极,该薄膜晶体管还包括:与像素电极同层设置的连接电极,其中,第一公共电极通过设置在栅极绝缘层上的第一过孔和连接电极相连,该连接电极通过设置在钝化层上的第二过孔与第二公共电极相连。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 薄膜晶体管 及其 制作方法 阵列 显示 面板 | ||
【主权项】:
一种薄膜晶体管,该薄膜晶体管从下向上依次包括栅极、与栅极同层设置的第一公共电极、位于栅极所在层之上的栅极绝缘层、有源层、像素电极、源漏极层、钝化层、以及位于所述钝化层之上的第二公共电极,其特征在于,所述薄膜晶体管还包括:与所述像素电极同层设置的连接电极,其中,所述第一公共电极通过设置在所述栅极绝缘层上的第一过孔和所述连接电极相连,该连接电极通过设置在所述钝化层上的第二过孔与所述第二公共电极相连。
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