[发明专利]一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示面板

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管从下向上依次包括栅极、与栅极同层设置的第一公共电极、位于栅极所在层之上的栅极绝缘层、有源层、像素电极、源漏极层、钝化层、以及位于所述钝化层之上的第二公共电极，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：与所述像素电极同层设置的连接电极，其中，所述第一公共电极通过设置在所述栅极绝缘层上的第一过孔和所述连接电极相连，该连接电极通过设置在所述钝化层上的第二过孔与所述第二公共电极相连。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：与所述源漏极层同层设置的第三公共电极，其中所述第三公共电极与所述连接电极相连，且所述第三公共电极通过在所述钝化层上的第二过孔与所述第二公共电极相连。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述连接电极为透明导电层。

4.一种阵列基板，其特征在于，包括权利要求1-3任一权项所述的薄膜晶体管。

5.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求4所述的阵列基板。

6.一种权利要求1-3任一权项所述的薄膜晶体管的制作方法，在衬底基板上依次形成栅极、第一公共电极、栅极绝缘层，其中，栅极和第一公共电极位于同一层，其特征在于，该方法包括：

在所述栅极绝缘层上沉积有源层，并在所述第一公共电极上的栅极绝缘层上形成第一过孔；

在所述有源层上沉积像素电极，以及在所述第一过孔处沉积连接电极，使得所述连接电极通过所述第一过孔与所述第一公共电极相连；

沉积漏极和源极；

沉积钝化层，并在所述连接电极上的钝化层上形成第二过孔；

在所述钝化层上沉积第二公共电极，使得第二公共电极通过所述第二过孔与所述连接电极相连。

7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，该方法还包括：

在沉积漏极和源极的同时，沉积第三公共电极，使得所述第三公共电极与所述连接电极相连；

沉积钝化层，并在所述第三公共电极上的钝化层上形成第二过孔；

在所述钝化层上沉积第二公共电极，使得第二公共电极通过所述第二过孔与所述第三公共电极相连。

8.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，在所述栅极绝缘层上沉积有源层，并在所述第一公共电极上的栅极绝缘层上形成第一过孔，包括：

刻蚀位于所述第一公共电极上方的栅极绝缘层，形成第一过孔；通过掩膜曝光形成位于所述栅极绝缘层之上的有源层；或者，

通过掩膜曝光形成位于所述栅极绝缘层之上的有源层；刻蚀位于所述第一公共电极上方的栅极绝缘层，形成第一过孔。

9.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述连接电极为透明导电层。