[发明专利]一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示面板

说明书

技术领域

本发明涉及显示面板系统领域，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示面板。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示屏(TFT-LCD)由于其体积小、重量轻、功耗低、适合制备大尺寸面板以及无辐射等优点，是目前的平板显示市场中的主流显示器。TFT-LCD主要由TFT基板和彩膜(CF)基板组成，其中TFT基板由一定数量的像素阵列构成，每个像素由一个TFT进行控制以显示图像。像素阵列可通过反复的薄膜沉积，掩膜曝光，刻蚀等工程完成。

每个像素通常包含TFT、像素电极、公共电极、栅极线和数据线等。不同的显示模式电极之间的连接方式不同。以HADS产品为例，参见图1为现有技术中显示面板中像素单元的俯视图，图中91为与栅极连接的栅线，1022为第一公共电极，93为与TFT的漏极连接的数据线，94为与TFT的源极连接的源极线，104为TFT中的有源层，108为第二公共电极，98为第一公共电极与第二公共电极连接的过孔。图2是图1中沿着A1-A2方向以及D1-D2方向的截面图。从图2中可以看出，在衬底基板上从下向上依次包括栅极1021、栅极绝缘层103、有源层104、像素电极105、漏极1062、源极1061、钝化层107、以及位于钝化层之上的第二公共电极108，其中与栅极同层设置的还有第一公共电极1022，且第一公共电极1022与第二公共电极108通过过孔98进行连接，且该过孔的深度包括栅极绝缘层和钝化层的厚度之和。因此过孔通常较深，会引发相关的不良。比如，由于过孔通常较深，当过孔的坡度角较大时，很容易造成搭接不良，形成断线，在显示画面形成亮点；此外，较深的过孔在PI涂覆时时很容易扩散不均，形成不良，对显示画面有很大影响。

综上所述，现有技术中的薄膜晶体管实现第一公共电极与第二公共电极连接的过孔只有一个，该过孔深度包括栅极绝缘层和钝化层的厚度之和，因此该过孔的深度较深，使得第二公共电极搭接第一公共电极的成功率较低，从而增加了PI涂覆时出现显示面板坏点的现象。

发明内容

本发明提供了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示面板，用以降低用于实现第一公共电极与第二公共电极连接的过孔的深度，从而提高第二公共电极搭接第一公共电极的成功率，同时降低PI涂覆时出现显示面板坏点的现象。

本发明实施例提供了一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管从下向上依次包括栅极、与栅极同层设置的第一公共电极、位于栅极所在层之上的栅极绝缘层、有源层、像素电极、源漏极层、钝化层、以及位于所述钝化层之上的第二公共电极，所述薄膜晶体管还包括：与所述像素电极同层设置的连接电极，其中，所述第一公共电极通过设置在所述栅极绝缘层上的第一过孔和所述连接电极相连，该连接电极通过设置在所述钝化层上的第二过孔与所述第二公共电极相连。

通过本发明实施例提供的薄膜晶体管，在像素电极同层设置连接电极，以及在位于第一公共电极上的栅极绝缘层上设置第一过孔，使得第一过孔与连接电极相连；然后在位于连接电极上的钝化层设置第二过孔，使得连接电极通过第二过孔与第二公共电极相连。因此，第一公共电极通过第一过孔、连接电极以及第二过孔与第二公共电极相连，即通过两个过孔和位于这两个过孔之间的连接电极实现了第一公共电极与第二公共电极的连接，从而每一过孔的深度较浅，分别为栅极绝缘层的厚度和钝化层的厚度，连接电极通过第一过孔搭接第一公共电极的成功率会很高，同样，第二公共电极通过第二过孔搭接连接电极的成功率也会很高，从而整体上可以提高第二公共电极搭接第一公共电极的成功率，同时降低PI涂覆时出现显示面板坏点的现象。

较佳地，所述薄膜晶体管还包括：与所述源漏极层同层设置的第三公共电极，其中所述第三公共电极与所述连接电极相连，且所述第三公共电极通过在所述钝化层上的第二过孔与所述第二公共电极相连。

通过在源漏极同层设置第三公共电极，以及在第三公共电极上方的钝化层设置第二过孔，使得第三公共电极与连接电极相连，从而降低了第一公共电极与第二公共电极之间的电阻。

较佳地，所述连接电极为透明导电层。

本发明实施例提供了一种阵列基板，包括本发明实施例提供的薄膜晶体管。

本发明实施例提供了一种显示面板，包括本发明实施例提供的阵列基板。

本发明实施例提供了一种本发明提供的薄膜晶体管的制作方法，在衬底基板上依次形成栅极、第一公共电极、栅极绝缘层，其中，栅极和第一公共电极位于同一层，该方法包括：

在所述栅极绝缘层上沉积有源层，并在所述第一公共电极上的栅极绝缘层上形成第一过孔；