[发明专利]一种多晶硅和单晶硅线切割废料中杂质铁的去除方法有效
申请号: | 201510509638.2 | 申请日: | 2015-08-18 |
公开(公告)号: | CN105174266B | 公开(公告)日: | 2018-06-29 |
发明(设计)人: | 朱鸿民;刘苏宁;黄凯 | 申请(专利权)人: | 北京科技大学 |
主分类号: | C01B33/037 | 分类号: | C01B33/037 |
代理公司: | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人: | 皋吉甫 |
地址: | 100083*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种多晶硅和单晶硅线切割废料中杂质铁的去除方法,所述方法利用碱性条件下将多晶硅线切割废料中的硅和碳化硅颗粒分散后,再用磁选的方法除去其中的铁,步骤为:首先将切割废料进行预处理,去除聚乙二醇溶液,烘干后得到硅和碳化硅混合粉末;加入用一定浓度的弱碱溶液调节pH值至12~14,搅拌反应均匀后放入超声波中,使颗粒充分分散,再进行反复磁选,可以使去除90%以上的铁,所述方法工艺流程简单,工艺参数稳定,用磁选工艺除铁,操作时间短,耗能低,无污染,效率高,污染小,而且磁选过滤后,水可以循环使用,基本实现零排放。 | ||
搜索关键词: | 磁选 去除 线切割废料 多晶硅 单晶硅 杂质铁 预处理 聚乙二醇溶液 碳化硅颗粒 混合粉末 碱性条件 搅拌反应 弱碱溶液 工艺流程 超声波 零排放 碳化硅 烘干 除铁 放入 耗能 过滤 切割 污染 | ||
【主权项】:
1.一种多晶硅和单晶硅线切割废料中杂质铁的去除方法,其特征在于,所述方法具体包括以下步骤:步骤一,切割废料的预处理;步骤二,分离富集硅粉;步骤三,调节硅粉颗粒表面pH值,并进行颗粒的预分散;步骤四,磁选;步骤五,非磁性富硅相的过滤与干燥;所述步骤三具体如下:富硅相粉末和水以6~10:1混合后搅拌均匀,用含有5%~15%铵盐的氨水溶液,调节pH值至12以上,继续搅拌10分钟后,放入超声波中进行超声处理40~60分钟;所述步骤三中铵盐包括:酒石酸铵、苹果酸铵或草酸铵;所述步骤四具体如下:分散后的富硅相溶液用蠕动泵以50~80r/min的进入磁选装置中进行反复磁选3~5次,得到磁性粉和非磁性的富硅相溶液,将磁性粉返回步骤二循环进行,以减少硅粉颗粒的损失。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京科技大学,未经北京科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510509638.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。