[发明专利]一种多晶硅和单晶硅线切割废料中杂质铁的去除方法

权利要求书

1.一种多晶硅和单晶硅线切割废料中杂质铁的去除方法，其特征在于，所述方法具体

包括以下步骤：

步骤一，切割废料的预处理；

步骤二，分离富集硅粉；

步骤三，调节硅粉颗粒表面pH值，并进行颗粒的预分散；

步骤四，磁选；

步骤五，非磁性富硅相的过滤与干燥；

所述步骤三具体如下：

富硅相粉末和水以6～10:1混合后搅拌均匀，用含有5％～15％铵盐的氨水溶液，调节pH值至12以上，继续搅拌10分钟后，放入超声波中进行超声处理40～60分钟；所述步骤三中铵盐包括：酒石酸铵、苹果酸铵或草酸铵；

所述步骤四具体如下：

分散后的富硅相溶液用蠕动泵以50～80r/min的进入磁选装置中进行反复磁选3～5次，得到磁性粉和非磁性的富硅相溶液，将磁性粉返回步骤二循环进行，以减少硅粉颗粒的损失。

2.根据权利要求1所示的多晶硅和单晶硅线切割废料中杂质铁的去除方法，其特征在于，所述步骤一具体如下：

在单晶硅和多晶硅线切割废浆料中加入水，液固比为4:1，搅拌以去除聚乙二醇，搅拌3～4小时后，进行过滤，将滤饼烘干，烘干后的滤饼放入球磨机中研磨10～30分钟，得到硅和碳化硅混合粉末。

3.根据权利要求1所示的多晶硅和单晶硅线切割废料中杂质铁的去除方法，其特征在于，所述步骤二具体如下：

将硅、碳化硅粉末与水以5:1的比例混合，搅拌30分钟后静置5h，溶液分层，取上层溶液过滤烘干得到富硅相粉末。

4.根据权利要求1所示的多晶硅和单晶硅线切割废料中杂质铁的去除方法，其特征在于，所述步骤五具体如下：

用浓度为2mol/l的盐酸调节非磁性富硅相溶液的pH值至1～3，颗粒迅速团聚沉降，过滤烘干后，得到含铁较低的富硅相粉末。