[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置有效
| 申请号： | 201510508322.1 | 申请日： | 2015-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN105097949B | 公开（公告）日： | 2017-12-29 |
| 发明（设计）人： | 史高飞 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 汪源,陈源 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置，属于显示技术领域，其可解决现有的半曝光技术的成功率和阵列基板的良品率低且阵列基板的生产成本高的问题。本发明的薄膜晶体管的制备方法包括以下步骤S1，在衬底上沉积栅极绝缘层、有源层材料层、金属层材料层、光刻胶层，并通过曝光、显影在金属层材料层上形成光刻胶图形层，光刻胶图形层包括部分保留区域、完全保留区域和完全去除区域；S2，去除完全去除区域的金属层材料层；S3，去除部分保留区域的部分光刻胶图形层；S4，去除完全去除区域的有源层材料层；S5，去除部分保留区域的剩余光刻胶图形层；S6，形成源漏电极和沟道区。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 及其 制备 方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，在衬底上沉积栅极绝缘层、有源层材料层、金属层材料层、光刻胶层材料层，并通过曝光、显影在所述金属层材料层上形成光刻胶图形层，所述光刻胶图形层包括部分保留区域、完全保留区域和完全去除区域；S2，去除所述完全去除区域的所述金属层材料层；S3，去除所述部分保留区域的部分所述光刻胶图形层；S4，去除所述完全去除区域的所述有源层材料层；S5，去除所述部分保留区域的剩余所述光刻胶图形层；S6，形成源漏电极和沟道区。
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