[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置有效
| 申请号： | 201510508322.1 | 申请日： | 2015-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN105097949B | 公开（公告）日： | 2017-12-29 |
| 发明（设计）人： | 史高飞 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 汪源,陈源 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 及其 制备 方法 阵列 显示装置 | ||
1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1，在衬底上沉积栅极绝缘层、有源层材料层、金属层材料层、光刻胶层材料层，并通过曝光、显影在所述金属层材料层上形成光刻胶图形层，所述光刻胶图形层包括部分保留区域、完全保留区域和完全去除区域；
S2，去除所述完全去除区域的所述金属层材料层；
S3，去除所述部分保留区域的部分所述光刻胶图形层；
S4，去除所述完全去除区域的所述有源层材料层；
S5，去除所述部分保留区域的剩余所述光刻胶图形层；
S6，形成源漏电极和沟道区。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述步骤S6包括：
S61，去除所述部分保留区域的所述金属层材料层，以形成源漏电极；
S62，去除部分所述部分保留区域的所述有源层材料层，以形成沟道区；
S63，去除所述完全保留区域上覆盖的所述光刻胶图形层。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述步骤S2包括：通过湿法刻蚀工艺去除所述完全去除区域的所述金属层材料层。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述步骤S3包括：采用灰化工艺去除所述部分保留区域的部分所述光刻胶图形层。
5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述步骤S4包括：采用干法刻蚀工艺去除所述完全去除区域的所述有源层材料层。
6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述步骤S5包括：采用灰化工艺去除所述部分保留区域的剩余所述光刻胶图形层。
7.根据权利要求2所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述步骤S61包括：通过湿法刻蚀工艺去除所述部分保留区域的所述金属层材料层，以形成源漏电极。
8.根据权利要求2所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述步骤S62包括：采用干法刻蚀工艺去除部分所述部分保留区域的所述有源层材料层，以形成沟道区。
9.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，在所述步骤S3中，所述去除所述部分保留区域的部分所述光刻胶图形层的去除量为所述部分保留区域的所述光刻胶图形层的总量的85％-95％。
10.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管采用权利要求1～9任意一项所述的制备方法制成。
11.一种阵列基板，其特征在于，包括权利要求10所述的薄膜晶体管。
12.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求11所述的阵列基板。
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