[发明专利]集成电路以及用于设计集成电路的计算机实现方法有效
| 申请号: | 201510507536.7 | 申请日: | 2015-08-18 |
| 公开(公告)号: | CN105390488B | 公开(公告)日: | 2018-03-30 |
| 发明(设计)人: | 翁丽秋 | 申请(专利权)人: | 联发科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;G06F17/50 |
| 代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)44280 | 代理人: | 何青瓦 |
| 地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明实施例公开了一种集成电路以及用于设计集成电路的计算机实现方法。其中该集成电路包括基底、第一电子设备、第二电子设备和第一最底层金属图案。其中基底具有第一单元区域和第二单元区域;第一电子设备,位于该基底之上且位于该第一单元区域中;第二电子设备,位于该基底之上且位于该第二单元区域中;第一最底层金属图案与该第一单元区域和该第二单元区域重叠,并且耦接至该第一电子设备和该第二电子设备。本发明实施例不仅使用最底层金属图案作为单个单元区域中的电子设备的布线,而且使用该最底层金属图案作为不同单元区域之间的电子设备间的布线,因此有助于提高集成电路的布线密度。 | ||
| 搜索关键词: | 集成电路 以及 用于 设计 计算机 实现 方法 | ||
【主权项】:
一种集成电路,其特征在于,包括:基底,具有第一单元区域和第二单元区域;第一电子设备,位于该基底之上且位于该第一单元区域中;第二电子设备,位于该基底之上且位于该第二单元区域中;以及第一最底层金属图案,与该第一单元区域和该第二单元区域重叠;其中,该第一最底层金属图案耦接至该第一电子设备和该第二电子设备。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





