[发明专利]集成电路以及用于设计集成电路的计算机实现方法

权利要求书

1.一种集成电路，其特征在于，包括：

基底，具有第一单元区域和第二单元区域；

第一电子设备，位于该基底之上且位于该第一单元区域中；

第二电子设备，位于该基底之上且位于该第二单元区域中；以及

第一最底层金属图案，与该第一单元区域和该第二单元区域重叠；

其中，该第一最底层金属图案耦接至该第一电子设备和该第二电子设备。

2.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，该第一最底层金属图案为连续的图案。

3.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，该第一电子设备包括：第一鳍，由沿第一方向延伸的多个沟槽隔离结构确定。

4.如权利要求3所述的集成电路，其特征在于，该第一电子设备进一步包括：第一栅极结构，形成于该第一鳍的顶部和相对侧壁之上，并且沿不同于该第一方向的第二方向延伸。

5.如权利要求4所述的集成电路，其特征在于，该第一鳍具有第一源极区域、第一漏极区域以及第一沟道区域，该第一沟道区域与该第一栅极结构重叠，并且位于该第一源极区域和该第一漏极区域之间。

6.如权利要求5所述的集成电路，其特征在于，该第一沟道区域具有沿该第一方向的长度，且该长度小于或等于20nm。

7.如权利要求6所述的集成电路，其特征在于，该第一电子设备为鳍式场效应晶体管。

8.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，进一步包括：

第三电子设备，形成于该第一单元区域中；以及

第二最底层金属图案，具有两个分离的部分，其中该两个分离的部分分别耦接至该第二电子设备和该第三电子设备。

9.如权利要求8所述的集成电路，其特征在于，耦接至该第三电子设备的部分电性连接至该第一电子设备。

10.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，该基底还具有第三单元区域，该集成电路进一步包括：

第四电子设备，形成于该基底上且位于该第三单元区域中，其中该第一最底层金属图案电性连接至该第四电子设备。

11.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，该第一最底层金属图案穿过该第一单元区域和该第二单元区域。

12.一种集成电路，其特征在于，包括：

基底，具有第一单元区域和第二单元区域；

第一鳍式场效应晶体管，在该第一单元区域中的该基底中延伸；

第二鳍式场效应晶体管，在该第二单元区域中的该基底中延伸；以及

第一最底层金属图案，穿过该第一单元区域的至少一边界以及穿过该第二单元区域的至少一边界。

13.如权利要求12所述的集成电路，其特征在于，该第一最底层金属图案耦接至该第一鳍式场效应晶体管和该第二鳍式场效应晶体管。

14.如权利要求12所述的集成电路，其特征在于，该第一鳍式场效应晶体管包括：第一鳍，由沿第一方向的多个沟槽隔离结构确定。

15.如权利要求14所述的集成电路，其特征在于，该第一鳍式场效应晶体管进一步包括：第一栅极结构，形成于该第一鳍的顶部和相对侧壁之上，并且沿不同于该第一方向的第二方向延伸。

16.如权利要求15所述的集成电路，其特征在于，该第一鳍具有第一源极区域、第一漏极区域以及第一沟道区域，该第一沟道区域与该第一栅极结构重叠，并且位于该第一源极区域和该第一漏极区域之间。

17.如权利要求16所述的集成电路，其特征在于，该第一沟道区域具有一沟道长度，该沟道长度由该第一源极区域和该第一漏极区域确定，且该第一沟道长度小于或等于20nm。

18.如权利要求12所述的集成电路，其特征在于，进一步包括：

第三鳍式场效应晶体管，形成于该第一单元区域中；以及

第二最底层金属图案，具有两个分离之部分，其中该两个分离之部分分别耦接至该第二鳍式场效应晶体管和该第三鳍式场效应晶体管。

19.如权利要求18所述的集成电路，其特征在于，耦接至该第三鳍式场效应晶体管的部分电性连接至该第一鳍式场效应晶体管。