[发明专利]不含ITO的QLED及其制备方法有效
| 申请号： | 201510504327.7 | 申请日： | 2015-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN105140411B | 公开（公告）日： | 2018-11-06 |
| 发明（设计）人： | 肖标;付东;谢相伟 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 张全文 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明适用于量子点发光二极管领域，提供了一种不含ITO的QLED及其制备方法。所述不含ITO的QLED包括依次层叠设置的衬底载体、阴极层、第一非共轭聚电解质层、电子注入层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层和阳极层，其中，所述阳极层的材料为PEDOT:PSS(PH1000)。所述不含ITO的QLED的制备方法为，在衬底载体上依次制备阴极层、第一非共轭聚电解质层、电子注入层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层和阳极层。 | ||
| 搜索关键词： | ito qled 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种不含ITO的QLED，其特征在于，包括依次层叠设置的衬底载体、阴极层、第一非共轭聚电解质层、电子注入层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层和阳极层，其中，所述阳极层的材料为PEDOT:PSS，所述电子注入层由非共轭聚电解质材料修饰的电子注入材料组成，包括依次层叠设置在所述第一非共轭聚电解质层上的电子注入材料层和第二非共轭聚电解质层，所述第一非共轭聚电解质层和/或所述第二非共轭聚电解质层的材料选自下述结构式I所示化合物PEIE中的至少一种，式I中，x、y、z为相同或不同的自然数，![]()
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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