[发明专利]不含ITO的QLED及其制备方法

权利要求书

1.一种不含ITO的QLED，其特征在于，包括依次层叠设置的衬底载体、阴极层、第一非共轭聚电解质层、电子注入层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层和阳极层，其中，所述阳极层的材料为PEDOT:PSS，所述电子注入层由非共轭聚电解质材料修饰的电子注入材料组成，包括依次层叠设置在所述第一非共轭聚电解质层上的电子注入材料层和第二非共轭聚电解质层，

所述第一非共轭聚电解质层和/或所述第二非共轭聚电解质层的材料选自下述结构式I所示化合物PEIE中的至少一种，式I中，x、y、z为相同或不同的自然数，

2.如权利要求1所述的不含ITO的QLED，其特征在于，所述第一非共轭聚电解质层和/或所述第二非共轭聚电解质层的厚度单独为2-30nm。

3.如权利要求1所述的不含ITO的QLED，其特征在于，所述阴极层的材料为纯金属或合金中的一种。

4.如权利要求1所述的不含ITO的QLED，其特征在于，所述电子注入材料层的材料为氧化锌纳米颗粒；和/或

所述空穴注入层的材料为氧化钼。

5.如权利要求1所述的不含ITO的QLED，其特征在于，所述电子注入材料层的厚度为20-60nm；和/或

所述量子点发光层的厚度为20-60nm；和/或

所述空穴传输层的厚度为5-20nm；和/或

所述空穴注入层的厚度为5-20nm。

6.如权利要求1-5任一所述的不含ITO的QLED，其特征在于，所述阴极层的厚度为60-500nm。

7.如权利要求1-5任一所述的不含ITO的QLED，其特征在于，所述阴极层的厚度为20-30nm。

8.一种如权利要求1-7任一所述不含ITO的QLED的制备方法，包括以下步骤：

提供一衬底载体，在所述衬底载体上制备阴极层；

在所述阴极层上依次沉积第一非共轭聚电解质层、电子注入层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层和阳极层。