[发明专利]不含ITO的QLED及其制备方法

说明书

本发明适用于量子点发光二极管领域，提供了一种不含ITO的QLED及其制备方法。所述不含ITO的QLED包括依次层叠设置的衬底载体、阴极层、第一非共轭聚电解质层、电子注入层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层和阳极层，其中，所述阳极层的材料为PEDOT:PSS(PH1000)。所述不含ITO的QLED的制备方法为，在衬底载体上依次制备阴极层、第一非共轭聚电解质层、电子注入层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层和阳极层。

技术领域

本发明属于量子点发光二极管领域，尤其涉及一种不含ITO的QLED及其制备方法。

背景技术

量子点发光二极管(QLED)作为一种新兴的高效电致发光器件，近年来受到了广泛的关注，QLED的工作原理与有机发光二极管(OLED)非常接近。不同的是，就发光材料而言，OLED的发光层材料是具有共轭结构的有机分子，而QLED的发光层则是由尺寸在几个纳米左右的无机纳米颗粒构成。由于采用了无机材料作为发光层，相比于OLED，QLED具有更长的使用寿命。另外，从显示效果上来说，QLED的性能要比OLED更加优越。此外，QLED中的量子点发光层可以采用溶液加工的方法制备获得，使得其量产成本非常低。基于上述优点，QLED近年来受到了学术界和产业界的极大关注。

在QLED制备的过程中，溅射有ITO的玻璃基板通常作为电荷注入的一个电极使用。然而，一方面，由于ITO材料中含有稀有金属铟，而金属铟是一种不可再生的宝贵资源，价格昂贵，因此，从长远来看，ITO材料的基板必将成为限制QLED大规模推广应用的一个障碍。另一方面，由于ITO的脆性很高，用其制备可以弯曲的柔性器件时器件的挠性特征会受到ITO弯曲性能的影响。于是，寻找新的不含ITO的电极材料对柔性器件来说十分重要。

此外，目前文献已报道的QLED基本上大多采用底发射型器件结构。在底发射型结构器件中，两个电极注入的正负电荷在发光层中相遇后发出的光子从ITO透明电极一侧射出。采用底发射型结构器件尽管在材料和工艺上均较为成熟，但是与驱动电路集成在一起后其有效出光面积会有所降低，不利于将光的利用最大化。

发明内容

本发明的目的在于提供一种不含ITO的QLED，旨在解决由于现有含ITO的QLED中金属铟资源有限导致生产成本高、长期推广应用受限、且可挠性差的问题，同时，解决现有含ITO的QLED多为底发射型结构QLED，导致出光面积小的问题。

本发明的另一目的在于提供一种不含ITO的QLED的制备方法。

本发明是这样实现的，一种不含ITO的QLED，包括依次层叠设置的衬底载体、阴极层、第一非共轭聚电解质层、电子注入层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层和阳极层，其中，所述阳极层的材料为PEDOT:PSS(PH1000)。

以及，一种不含ITO的QLED的制备方法，包括以下步骤：

提供一衬底载体，在所述衬底载体上制备阴极层；

在所述阴极层上依次沉积第一非共轭聚电解质层、电子注入层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层和阳极层。

本发明提供的不含ITO的QLED，首先，使用高电导率和高透过率的PEDOT:PSS(PH1000)作为阳极材料，具有很好的光出射效果。在此基础上，其结构中不含ITO，可以避免使用稀有金属铟，从而使得QLED的发展不受铟资源的限定，同时降低了生产成本；

其次，本发明采用第一非共轭聚电解质层来修饰阴极层，降低了所述阴极层的功函数，从而可以提高QLED的发光效率和使用寿命。

再次，本发明提供的不含ITO的QLED，可以根据实际需要设置所述阴极层的不同厚度，制备顶发射结构QLED或半透明QLED，其中，所述顶发射结构QLED可以有效提高QLED器件的出光面积。

此外，本发明提供的不含ITO的QLED，可用于平板显示领域和可穿戴显示领域。