[发明专利]一种薄膜晶体管的制作方法和阵列基板的制作方法在审
| 申请号： | 201510498376.4 | 申请日： | 2015-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN105097551A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 沈奇雨 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管的制作方法和阵列基板的制作方法，涉及显示技术领域，能够防止在刻蚀形成源极和漏极的过程中，有源层中用以作为沟道的区域受到腐蚀。该薄膜晶体管的制作方法包括形成氧化物半导体层，经过构图工艺形成包括有源层的图形；在有源层上形成源漏极金属层，经过构图工艺形成包括源极和漏极的图形，所述源极和所述漏极之间具有与所述有源层中用以作为沟道的区域相对应的开口；其中，所述经过构图工艺形成包括源极和漏极的图形的步骤包括：通过干法刻蚀去除所述开口所在位置处的所述源漏极金属层。本发明用于制作薄膜晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 制作方法 阵列 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：形成氧化物半导体层，经过构图工艺形成包括有源层的图形；在所述有源层上形成源漏极金属层，经过构图工艺形成包括源极和漏极的图形，所述源极和所述漏极之间具有与所述有源层中用以作为沟道的区域相对应的开口；其中，所述经过构图工艺形成包括源极和漏极的图形的步骤包括：通过干法刻蚀去除所述开口所在位置处的所述源漏极金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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