[发明专利]一种薄膜晶体管的制作方法和阵列基板的制作方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

形成氧化物半导体层，经过构图工艺形成包括有源层的图形；

在所述有源层上形成源漏极金属层，经过构图工艺形成包括源极和漏极的图形，所述源极和所述漏极之间具有与所述有源层中用以作为沟道的区域相对应的开口；

其中，所述经过构图工艺形成包括源极和漏极的图形的步骤包括：通过干法刻蚀去除所述开口所在位置处的所述源漏极金属层。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，在通过干法刻蚀去除所述开口所在位置处的所述源漏极金属层的步骤之前，所述经过构图工艺形成包括源极和漏极的图形的步骤还包括：

在所述源漏极金属层上涂布一层光刻胶；

使用掩膜板遮盖所述光刻胶，并进行曝光，以形成完全未曝光区、部分曝光区和完全曝光区，其中，所述完全未曝光区对应于所述源极和所述漏极所在位置，所述部分曝光区对应于所述开口所在位置，所述完全曝光区对应于其他位置；

对曝光后的所述光刻胶进行显影，以形成完全保留区、部分保留区和完全去除区，其中，所述完全保留区对应于所述源极和所述漏极所在位置，所述部分保留区对应于所述开口所在位置，所述完全去除区对应于其他位置；

通过湿法刻蚀去除所述完全去除区所在位置处的所述源漏极金属层；

经过灰化工艺，去除所述部分保留区的所述光刻胶，以使所述开口所在位置处的所述源漏极金属层暴露。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述掩膜板为单狭缝掩膜板、半透掩膜板或者灰阶掩膜板。

4.根据权利要求1-3任一项所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，在形成氧化物半导体层，经过构图工艺形成包括有源层的图形的步骤之前，所述薄膜晶体管的制作方法还包括：

形成栅极金属层，经过构图工艺形成包括栅极的图形；

在所述栅极上形成栅极绝缘层，所述有源层形成在所述栅极绝缘层上。

5.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括如权利要求1-4任一项所述的薄膜晶体管的制作方法。

6.根据权利要求5所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在形成源漏极金属层，经过构图工艺形成包括源极和漏极的图形的步骤之前，所述阵列基板的制作方法还包括：

形成第一像素电极，所述第一像素电极直接与所述薄膜晶体管的漏极连接；

对所述第一像素电极进行退火处理。

7.根据权利要求6所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一像素电极为板状电极。

8.根据权利要求6所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在形成源漏极金属层，经过构图工艺形成包括源极和漏极的图形的步骤之后，所述阵列基板的制作方法还包括：

在所述源极和漏极上形成钝化层；

在所述钝化层上形成第二像素电极；

对所述第二像素电极进行退火处理。

9.根据权利要求8所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第二像素电极为狭缝电极或者条状电极。

10.根据权利要求6-9任一项所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在对所述第一像素电极或者所述第二像素电极进行退火处理的过程中，退火气氛为空气或者氮气，退火温度为230℃～280℃，退火时间为20min～40min。

11.根据权利要求8所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述阵列基板的制作方法还包括：在所述形成钝化层之后，对所述阵列基板进行退火处理。

12.根据权利要求11所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在对所述阵列基板进行退火处理的过程中，退火温度为280℃，退火时间为20min～40min。