[发明专利]一种薄膜晶体管的制作方法和阵列基板的制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管的制作方法和阵列基板的制作方法。

背景技术

目前，常用的液晶显示器为薄膜晶体管液晶显示器。薄膜晶体管按有源层材料不同可以分为非晶硅薄膜晶体管、多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管。其中，由于氧化物半导体薄膜晶体管具有制作工艺简单、电子迁移率高等优点，进而被大规模应用于液晶显示器中。

现有技术中，氧化物半导体薄膜晶体管的制作过程包括：第一步，形成栅极金属层，经过构图工艺形成包括栅极的图形；第二步，在栅极上形成栅极绝缘层；第三步，形成氧化物半导体层，经过构图工艺形成包括有源层的图形；第四步，在有源层上形成源漏极金属层，经过构图工艺形成包括源极和漏极的图形。

本申请的发明人发现，在上述第四步中，需要使用酸性刻蚀液对源漏极金属层进行刻蚀以形成包括源极和漏极的图形，在刻蚀过程中，由于有源层中用以作为沟道的区域直接暴露在酸性刻蚀液中，从而使得酸性刻蚀液会对该区域造成腐蚀，进而影响氧化物半导体薄膜晶体管的电学特性。

发明内容

本发明的目的在于提供一种薄膜晶体管的制作方法和阵列基板的制作方法，在刻蚀形成源极和漏极的过程中，防止有源层中用以作为沟道的区域受到腐蚀。

为达到上述目的，本发明提供的薄膜晶体管的制作方法采用如下技术方案：

一种薄膜晶体管的制作方法，包括：

形成氧化物半导体层，经过构图工艺形成包括有源层的图形；

在所述有源层上形成源漏极金属层，经过构图工艺形成包括源极和漏极的图形，所述源极和所述漏极之间具有与所述有源层中用以作为沟道的区域相对应的开口；

其中，所述经过构图工艺形成包括源极和漏极的图形的步骤包括：通过干法刻蚀去除所述开口所在位置处的所述源漏极金属层。

在本发明提供的薄膜晶体管的制作方法中，由于通过干法刻蚀去除开口所在位置处的源漏极金属层，即有源层中用以作为沟道的区域相对应的源漏极金属层，从而使得在刻蚀过程中不需要使用酸性刻蚀液，进而能够有效防止在刻蚀形成源极和漏极的过程中，有源层中用以作为沟道的区域被酸性刻蚀液腐蚀，进而能够有效改善氧化物半导体薄膜晶体管的电学特性。

此外，本发明还提供了一种阵列基板的制作方法，该阵列基板的制作方法包括如上所述的薄膜晶体管的制作方法。

由于本发明提供的阵列基板的制作方法包括如上所述的薄膜晶体管的制作方法，因此，阵列基板的制作方法具有和薄膜晶体管的制作方法相同的有益效果，此处不再进行赘述。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例中的形成包括有源层的图形后的基板的示意图；

图2为本发明实施例中的形成源漏极金属层后的基板的示意图；

图3为本发明实施例中的形成完全保留区、部分保留区和完全去除区后的基板的示意图；

图4为本发明实施例中的去除完全去除区所在位置处的源漏极金属层后的基板的示意图；

图5为本发明实施例中的去除部分保留区光刻胶后的基板的示意图；

图6为本发明实施例中的形成包括源极和漏极的图形后的基板的示意图；

图7为本发明实施例中的形成包括栅极的图形后的基板的示意图；

图8为本发明实施例中的形成栅极绝缘层后的基板的示意图；

图9为本发明实施例中的形成第一像素电极后的基板的示意图；

图10为本发明实施例中的形成钝化层后的基板的示意图；

图11为本发明实施例中的形成第二像素电极后的基板的示意图。

附图标记说明：

1—衬底基板；2—有源层；3—源漏极金属层；

4—完全保留区；5—部分保留区；6—完全去除区；

7—源极；8—漏极；9—开口；

10—栅极；11—栅极绝缘层；12—第一像素电极；

13—钝化层；14—第二像素电极。

具体实施方式