[发明专利]致使对集成电路的逆向工程更加困难的集成电路制造方法、以及对应的集成电路有效
| 申请号： | 201510490352.4 | 申请日： | 2015-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN105390432B | 公开（公告）日： | 2018-07-31 |
| 发明（设计）人： | P·弗纳拉;C·里韦罗;G·鲍顿 | 申请（专利权）人： | 意法半导体(鲁塞)公司 |
| 主分类号： | H01L21/70 | 分类号： | H01L21/70;H01L27/04;H01L23/00 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明的各个实施例涉及：致使对集成电路的逆向工程更加困难的集成电路制造方法、以及对应的集成电路。一种集成电路，其包括具有形成在其上的多个功能块的衬底。至少两个相同的功能块分别设置在集成电路上的两个或更多个不同位置处。提供了在功能块的内部和/或邻近区域中的电无源伪模块，其中至少两个不同的电无源伪模块被包括在该至少两个相同的功能块的内部和/或邻近区域中。 | ||
| 搜索关键词： | 致使 集成电路 逆向 工程 更加 困难 制造 方法 以及 对应 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造集成电路的方法，包括：在所述集成电路的衬底之中和/或之上形成功能块，所述功能块包括：至少两个相同的功能块，分别设置在所述集成电路上的两个或更多个不同的位置处；以及在所述至少两个相同的功能块的内部和/或邻近区域中，分别形成电无源伪模块；以及在所述至少两个相同的功能块的内部和/或邻近区域中，分别形成至少两个不同的电无源伪模块。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
