[发明专利]致使对集成电路的逆向工程更加困难的集成电路制造方法、以及对应的集成电路

权利要求书

1.一种用于制造集成电路的方法，包括：

在所述集成电路的衬底之中和/或之上形成功能块，所述功能块包括：至少两个相同的功能块，分别设置在所述集成电路上的两个或更多个不同的位置处；以及

在所述至少两个相同的功能块的内部和/或邻近区域中，分别形成电无源伪模块；以及

在所述至少两个相同的功能块的内部和/或邻近区域中，分别形成至少两个不同的电无源伪模块。

2.根据权利要求1所述的方法，

其中所述至少两个相同的功能块中的每一个都包括：在所述衬底内的由绝缘区域定界的有源区域，并且

其中形成所述电无源伪模块包括：在为对应的所述有源区域定界的所述绝缘区域中，形成伪有源区域。

3.根据权利要求2所述的方法，

其中所述至少两个相同的功能块中的每一个都在其相应的邻近区域中包括伪有源区域，两个所述伪有源区域具有不同的几何形状。

4.根据权利要求1所述的方法，

其中所述两个相同的功能块中的每一个都包括：在所述衬底中的由绝缘区域定界的有源区域，并且

其中形成电无源伪模块包括：形成至少一个伪多晶硅区域，所述至少一个伪多晶硅区域至少部分地在为对应的所述有源区域定界的所述绝缘区域之上。

5.根据权利要求4所述的方法，

其中所述至少两个相同的功能块中的每一个都在其相应的邻近区域中包括至少一个伪多晶硅区域，两个所述伪多晶硅区域具有不同的几何形状。

6.根据权利要求2所述的方法，

其中形成电无源伪模块包括：形成至少一个伪多晶硅区域，所述至少一个伪多晶硅区域至少部分地在为对应的所述有源区域定界的所述绝缘区域之上，并且

其中所述至少一个伪多晶硅区域至少部分在对应的所述伪有源区域之上延伸。

7.根据权利要求6所述的方法，

其中形成电无源伪模块包括：在所述伪有源区域之上和/或在所述伪多晶硅区域之上，形成至少一个导电伪接触。

8.根据权利要求1所述的方法，

其中在所述集成电路的功能块的布局之后，自动地执行电无源伪模块的限定和布局。

9.根据权利要求8所述的方法，

其中在生成至少一个光刻掩膜期间，考虑到预设规则集，而自动地执行电无源伪模块的限定和布局。

10.根据权利要求2所述的方法，

其中在生成用于限定所述集成电路的所述有源区域的掩膜期间，执行每个伪有源区域的限定。

11.根据权利要求4所述的方法，

其中在生成被称为“多晶硅掩膜”的掩膜期间，执行每个多晶硅区域的限定。

12.根据权利要求7所述的方法，

其中在生成被称为“接触掩膜”的掩膜期间，执行每个导电伪接触的限定。

13.根据权利要求9所述的方法，

其中所述预设规则集包含用于所用技术的设计规则，所述设计规则至少部分被放宽。

14.根据权利要求9所述的方法，

其中所述集成电路的多个面积区域被限定为分别包含相同的功能块，并且将不同的预设规则集分配给所述多个面积区域；并且

其中考虑到分配给所述面积区域的所述规则集，而执行在所述多个面积区域中的每一个面积区域内的所述伪模块的限定和布局。

15.根据权利要求1所述的方法，

其中所述功能块包括标准单元，并且在这些标准单元的邻近区域中形成与这些标准单元相关联的伪模块。