[发明专利]致使对集成电路的逆向工程更加困难的集成电路制造方法、以及对应的集成电路

说明书

本发明的各个实施例涉及：致使对集成电路的逆向工程更加困难的集成电路制造方法、以及对应的集成电路。一种集成电路，其包括具有形成在其上的多个功能块的衬底。至少两个相同的功能块分别设置在集成电路上的两个或更多个不同位置处。提供了在功能块的内部和/或邻近区域中的电无源伪模块，其中至少两个不同的电无源伪模块被包括在该至少两个相同的功能块的内部和/或邻近区域中。

优先权要求

本申请要求于2014年8月29日提交的法国专利申请第1458099号的优先权，其公开内容以引用的方式并入本文。

技术领域

本发明涉及集成电路，并且更加具体地，涉及集成电路的制造，该制造的目的在于使得该集成电路的逆向工程更加困难。

背景技术

集成电路的逆向工程主要在于：对集成电路进行分析，以便确定其内部结构及其操作，以便例如进行拷贝和复制。

逆向工程过程中的一个关键步骤是：通过图案匹配技术，识别标准单元、以及识别各个部件，以便确定互连结构和部件的列表(或者，‘网表’)，并且也可能重构集成电路的分层体系。

更具体而言，一旦识别出了单元或部件，那么就可以通过使用图案匹配技术而寻找到在集成电路内的该单元或者该部件的所有相同实例。

试图阻止这种搜索的当前的解决方案基于这种图案匹配技术的容错。更具体而言，这些解决方案基于为具有不同功能的单元提供非常相似的版图(layout)的特定单元设计。

然而，这种解决方案要求采用常规的CMOS结构来实施输入和输出级，因此，禁止采用特殊的非CMOS部件来配备输出级，例如，以便随着时间推移而进行正确的特征化，或者以便获得用于输入级的高输入电容。

发明内容

根据一个实施例及其实施方法，要旨是在逆向工程期间使图案识别步骤尽可能地复杂化，而同时不限于用于任何输入或者输出级的常规CMOS架构。

按照对集成电路设计者而言是自动的并且明显的方式来修改集成电路的拓扑结构，也是有利的。

根据一个方面，提供了一种用于制造集成电路的方法，其包括：在集成电路的衬底之中和/或之上形成多个功能块，这些功能块包括分别设置在集成电路上的两个或更多个不同位置处的至少两个相同的功能块。

该方法此外包括：在功能块的内部和/或邻近区域中分别形成电无源的伪(dummy)模块，并且在该至少两个相同的功能块的内部和/或邻近区域中，分别形成至少两个不同的电无源伪模块。

功能块包括：例如，标准单元(例如，反相器、逻辑门等)和/或多组标准单元或者具体装置诸如，例如，设计在CMOS反相器周围的环形振荡器。

当功能块是标准单元时，伪模块有利地形成在这些标准单元的邻近区域中。由此，不修改标准单元的拓扑结构。

当功能块是多组伪单元、或者具体装置诸如环形振荡器时，一个或多个伪模块可以形成在这些组或者该装置的内部和/或邻近区域中。

事实上，伪模块将形成在功能块的主要部分甚或整体的内部和/或邻近区域中，这取决于可用的空间。

与现有技术的解决方案相对照，设置在不同位置处的两个相同的功能块，尤其是两个相同的标准单元，保持了相同的功能拓扑结构，但是具有不同的电无源伪环境。这致使通过上面提及的匹配技术进行的图案识别更加复杂，同时特别是不要求对现有标准单元的库的拓扑结构进行任何修改。

此外，在考虑到预设的规则集(set of rules)而生成至少一个光刻掩膜期间，按照例如对集成电路设计者而言是明显的方式，在布局 (placement)多个功能块之后，有利地自动地进行伪模块的布局。