[发明专利]一种SiP器件抗单粒子效应能力评估方法

摘要

本发明公开了一种SiP器件抗单粒子效应能力评估方法，步骤如下：对SiP进行开帽处理；获取SiP内部芯片信息，并确定SiP内部器件的抗辐射性能是否记录在辐射数据库中；若辐射数据库中有相应SIP芯片的抗辐射性能数据，且所有SIP芯片均能达到抗单粒子指标要求，则认为整个SiP达到抗单粒子指标要求；若某SIP内部芯片未能达到抗单粒子指标或者辐射数据库中没有某SIP芯片相应辐射性能试验数据；判断SiP器件中是否有处于叠层封装的芯片；判断处于叠层封装的上下相邻的芯片是否相同；将叠层封装下方无法被辐射到的芯片，单独封装成器件；对封装成器件的芯片以及有层叠但是相同的芯片以及无层叠的芯片进行单粒子效应试验，获得试验数据，并判断是否满足抗单粒子指标。本发明解决了评估SiP器件抗单粒子效应能力不准确的问题。

主权项

1.一种SiP器件抗单粒子效应能力评估方法，其特征在于步骤如下：(1)对SiP进行开帽处理；(2)获取SiP内部芯片信息，并确定SiP内部器件的抗辐射性能是否记录在辐射数据库中；所述的内部芯片包括功率MOSFET，双极运算放大器、静态存储器和微处理器；(3)若辐射数据库中有相应SiP芯片的抗辐射性能数据，且所有SiP芯片均能达到抗单粒子指标要求，所述抗辐射指标要求如下：单粒子锁定LET阈值大于75MeV.cm2/mg，单粒子翻转阈值和单粒子功能中断阈值大于37MeV.cm2/mg，则认为整个SiP达到抗单粒子指标要求，并进入步骤(8)；若某SiP内部芯片未能达到抗单粒子指标或者辐射数据库中没有某SiP芯片相应辐射性能试验数据则进入步骤(4)；(4)判断SiP器件中是否有处于叠层封装的芯片，若有则进入步骤(5)，否则进入步骤(6)；(5)判断处于叠层封装的上下相邻的芯片是否相同，若不同则进入步骤(6)，若相同则进入步骤(7)；(6)将叠层封装下方无法被辐射到的芯片，单独封装成器件；(7)对步骤(6)中封装成器件的芯片以及步骤(5)中有层叠但是相同的芯片以及步骤(4)中无层叠的芯片进行单粒子效应试验，获得试验数据，并判断是否满足抗辐射指标要求；判断是否满足抗辐射指标要求的具体方式如下：(7a)判断芯片单粒子锁定LET阈值是否大于75MeV.cm2/mg，若大于则进入步骤(7b)，否则进入步骤(9)；(7b)判断芯片单粒子翻转阈值和单粒子功能中断阈值是否大于37MeV.cm2/mg，若大于则进入步骤(9)，否则进入步骤(8)；(8)对整个SiP进行单粒子效应试验，将所有芯片进行组装，以及对组装后的SiP进行了EDAC加固，然后对整个SiP进行单粒子效应试验，并判断整个SIP是否满足抗辐射指标要求；(9)结束。