[发明专利]一种SiP器件抗单粒子效应能力评估方法

说明书

本发明公开了一种SiP器件抗单粒子效应能力评估方法，步骤如下：对SiP进行开帽处理；获取SiP内部芯片信息，并确定SiP内部器件的抗辐射性能是否记录在辐射数据库中；若辐射数据库中有相应SIP芯片的抗辐射性能数据，且所有SIP芯片均能达到抗单粒子指标要求，则认为整个SiP达到抗单粒子指标要求；若某SIP内部芯片未能达到抗单粒子指标或者辐射数据库中没有某SIP芯片相应辐射性能试验数据；判断SiP器件中是否有处于叠层封装的芯片；判断处于叠层封装的上下相邻的芯片是否相同；将叠层封装下方无法被辐射到的芯片，单独封装成器件；对封装成器件的芯片以及有层叠但是相同的芯片以及无层叠的芯片进行单粒子效应试验，获得试验数据，并判断是否满足抗单粒子指标。本发明解决了评估SiP器件抗单粒子效应能力不准确的问题。

技术领域

本发明涉及一种SiP器件抗单粒子效应能力评估方法，属于单粒子效应测试技术领域。

背景技术

SIP器件是采用系统集成封装技术，将多个具有不同功能的有源电子器件与可选择的无源元件，以及诸如MEMS或者光学器件等其他器件，组装成为可以提供多种功能的单个标准封装件，形成一个系统或者子系统，且出现故障后可进行维修的微小型化电路类产品。

目前已有的单粒子试验方法，如QJ10005《宇航用器件重离子单粒子试验指南》、ASTM F1192《重离子引起半导体器件单粒子现象测量指南》中都给出了单片集成电路的单粒子试验方法，但未给出SiP器件的单粒子试验方法。在系统中工作的器件，由于其工作时需要进行数据的传输和交换，因此信号电压是间断的，相当于辐射偏置是间断的，因而，在系统中工作的器件的单粒子辐射敏感性与单个器件静态偏置的情况有所不同。基于此，对SiP器件的抗辐射能力评估，不能简单地采用器件抗辐射能力的“木桶效应”来进行。在有条件时，因在SiP器件系统中对其内部的集成电路进行单粒子试验。如叠层芯片为不同工艺、设计时，才考虑通过独立芯片单粒子试验评估方式对其在SiP器件内部单粒子效应进行评估。

目前在本领域，还没有关于SIP器件封装测试的方法。

发明内容

本发明的技术解决问题是：为了克服现有技术的不足，提出一种SiP器件抗单粒子效应能力评估方法，解决了评估SiP器件抗单粒子效应能力不准确的问题。

本发明的技术解决方案是：

一种SiP器件抗单粒子效应能力评估方法，包括步骤如下：

(1)对SiP进行开帽处理；

(2)获取SiP内部芯片信息，并确定SiP内部器件的抗辐射性能是否记录在辐射数据库中；所述的内部芯片包括功率MOSFET，双极运算放大器、静态存储器、微处理器；

(3)若辐射数据库中有相应SIP芯片的抗辐射性能数据，且所有SIP芯片均能达到抗单粒子指标要求，所述抗辐射指标要求如下：单粒子锁定LET阈值大于75MeV.cm²/mg，单粒子翻转阈值和单粒子功能中断阈值大于37MeV.cm²/mg，则认为整个SiP达到抗单粒子指标要求，并进入步骤(7)；若某SIP内部芯片未能达到抗单粒子指标或者辐射数据库中没有某SIP芯片相应辐射性能试验数据则进入步骤(4)；

(4)判断SiP器件中是否有处于叠层封装的芯片，若有则进入步骤(5)，否则进入步骤(6)；

(5)判断处于叠层封装的上下相邻的芯片是否相同，若不同则进入步骤(6)，若相同则进入步骤(7)；

(6)将叠层封装下方无法被辐射到的芯片，单独封装成器件；

(7)对步骤(6)中封装成器件的芯片以及步骤(5)中有层叠但是相同的芯片以及步骤(4)中无层叠的芯片进行单粒子效应试验，获得试验数据，并判断是否满足抗辐射指标要求；

判断是否满足抗辐射指标要求的具体方式如下：