[发明专利]一种SiP器件抗单粒子效应能力评估方法

权利要求书

1.一种SiP器件抗单粒子效应能力评估方法，其特征在于步骤如下：

(1)对SiP进行开帽处理；

(2)获取SiP内部芯片信息，并确定SiP内部器件的抗辐射性能是否记录在辐射数据库中；所述的内部芯片包括功率MOSFET，双极运算放大器、静态存储器和微处理器；

(3)若辐射数据库中有相应SiP芯片的抗辐射性能数据，且所有SiP芯片均能达到抗单粒子指标要求，所述抗辐射指标要求如下：单粒子锁定LET阈值大于75MeV.cm²/mg，单粒子翻转阈值和单粒子功能中断阈值大于37MeV.cm²/mg，则认为整个SiP达到抗单粒子指标要求，并进入步骤(8)；若某SiP内部芯片未能达到抗单粒子指标或者辐射数据库中没有某SiP芯片相应辐射性能试验数据则进入步骤(4)；

(4)判断SiP器件中是否有处于叠层封装的芯片，若有则进入步骤(5)，否则进入步骤(6)；

(5)判断处于叠层封装的上下相邻的芯片是否相同，若不同则进入步骤(6)，若相同则进入步骤(7)；

(6)将叠层封装下方无法被辐射到的芯片，单独封装成器件；

(7)对步骤(6)中封装成器件的芯片以及步骤(5)中有层叠但是相同的芯片以及步骤(4)中无层叠的芯片进行单粒子效应试验，获得试验数据，并判断是否满足抗辐射指标要求；

判断是否满足抗辐射指标要求的具体方式如下：

(7a)判断芯片单粒子锁定LET阈值是否大于75MeV.cm²/mg，若大于则进入步骤(7b)，否则进入步骤(9)；

(7b)判断芯片单粒子翻转阈值和单粒子功能中断阈值是否大于37MeV.cm²/mg，若大于则进入步骤(9)，否则进入步骤(8)；

(8)对整个SiP进行单粒子效应试验，将所有芯片进行组装，以及对组装后的SiP进行了EDAC加固，然后对整个SiP进行单粒子效应试验，并判断整个SIP是否满足抗辐射指标要求；

(9)结束。

2.根据权利要求1所述的一种SiP器件抗单粒子效应能力评估方法，其特征在于：步骤(7)单粒子效应实验的具体实现方式如下：

(71)比较判断重离子试验束斑大小能否覆盖整个器件，若可以则直接对SiP器件进行单粒子效应试验，获得试验数据，判断是否满足抗单粒子指标；若不能则进入步骤(72)；

(72)试验束斑首先覆盖抗单粒子能力较低或没有试验数据的芯片，进行单粒子效应试验，然后将试验束斑覆盖到上次试验未被覆盖到的芯片，重复试验。

3.根据权利要求2所述的一种SiP器件抗单粒子效应能力评估方法，其特征在于：步骤(71)和(72)中进行单粒子效应试验的方法步骤如下：

(711)利用重离子加速器对单独封装成器件的芯片进行强辐照，辐照强度逐渐增大，进行单粒子锁定实验采用的重离子为Bi，进行单粒子翻转实验采用的重离子为Ge；

(712)在进行单粒子效应期间，根据芯片实现的功能，对芯片发送多路相同指令信息，并根据芯片输出判断多路指令是否执行正确，芯片输出是否与芯片预期相同以及多路指令执行情况是否一致，用于判断发生单粒子锁定和单粒子翻转时，芯片工作情况。