[发明专利]半导体装置的制造方法

摘要

一种半导体装置的制造方法包含：提供一半导体装置，其包含至少一导电接点、覆盖导电接点的一介电层以及贯穿介电层并与导电接点电性连接的一加热器；至少部分移除介电层，使加热器突出于半导体装置的一表面；以一线上关键尺寸扫描式电子显微镜撷取半导体装置的表面的一扫描影像；以及分析扫描影像，并在半导体装置不符规格时重新制作。上述制造方法能够以成本较为低廉的检测设备快速地线上检测突出的导电材料的关键尺寸。此外，上述检测方法为非破坏性检测，有利于重新制作突出的加热器。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包含：提供一半导体装置，其包含：至少一导电接点；一介电层，其覆盖该导电接点；以及至少一加热器，其贯穿该介电层并与该导电接点电性连接；至少部分移除该介电层，使至少部分该加热器形成突出的一柱状结构；以一线上关键尺寸扫描式电子显微镜撷取该柱状结构的一扫描影像；量测该扫描影像中该加热器的关键尺寸，或分析该扫描影像中该加热器与该导电接点之间是否存在缺陷；若该加热器的关键尺寸不符规格或该加热器与该导电接点之间存在缺陷，则移除该介电层以及该加热器；重新形成该介电层以及该加热器；以及再次执行至少部分移除该介电层的该步骤以及撷取该扫描影像的该步骤。