[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包含：

提供一半导体装置，其包含：

至少一导电接点；

一介电层，其覆盖该导电接点；以及

至少一加热器，其贯穿该介电层并与该导电接点电性连接；

至少部分移除该介电层，使至少部分该加热器形成突出的一柱状结构；

以一线上关键尺寸扫描式电子显微镜撷取该柱状结构的一扫描影像；

量测该扫描影像中该加热器的关键尺寸，或分析该扫描影像中该加热器与该导电接点之间是否存在缺陷；

若该加热器的关键尺寸不符规格或该加热器与该导电接点之间存在缺陷，则移除该介电层以及该加热器；

重新形成该介电层以及该加热器；以及

再次执行至少部分移除该介电层的该步骤以及撷取该扫描影像的该步骤。

2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，还包含：

若该加热器的关键尺寸符合规格或该加热器与该导电接点之间不存在缺陷，则设置一相变化材料以及一顶电极于该加热器的外露表面。

3.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，该半导体装置为一非全工艺晶圆。

4.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，移除该介电层的步骤是完全移除该介电层。

5.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，移除该介电层是以湿式蚀刻或高选择性的干式蚀刻加以实现。

6.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，该柱状结构的宽度小于等于30nm。

7.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，该加热器的材料包含钨、钛、钽、氮化钛、氮化钽、氮化铝钛或氮化硅钛。