[发明专利]芯片级封装方法

摘要

本发明公开一种芯片级封装方法，以设有划片沟槽的晶圆为加工对象；所述封装方法的具体步骤是步骤a、制备导电凸块；步骤b、减薄；步骤c、涂覆绝缘保护胶层；步骤d、切割；所述切割是将经步骤c制备的晶圆的绝缘保护胶层的背面贴到贴膜上固定，然后沿着晶圆上的划片沟槽进行第一次切割，且切割深度为晶圆的厚度和绝缘保护胶层的厚度的总和；步骤e、二次涂覆绝缘保护胶层；步骤f、二次切割；所述二次切割是对经步骤e后制备的晶圆采用电磁波探测仪探测步骤d的划片沟槽的位置进行二次切割，且二次切割宽度小于步骤d的第一次切割宽度，尔后将每一个晶粒从贴膜上剥离，制备已封装的器件。本发明的制备方法合理，且生产效率高，投入成本低。

主权项

一种芯片级封装方法，以多颗晶粒集成为一体，且相邻晶粒之间设有划片沟槽的晶圆为加工对象；其特征在于：所述封装方法的具体步骤是：步骤a、制备导电凸块；所述制备导电凸块，是在所述晶圆上的每颗晶粒的接触区域上制作导电凸块；步骤b、减薄；所述减薄是对经步骤a制备的晶圆的背面进行磨片减薄至芯片设计厚度；步骤c、涂覆绝缘保护胶层；所述涂覆绝缘保护胶层是对经步骤b制备的晶圆的背面涂覆绝缘保护胶，并在晶圆背面形成绝缘保护胶层；步骤d、切割；所述切割是将经步骤c制备的晶圆的绝缘保护胶层的背面贴到贴膜上固定，然后沿着晶圆上的划片沟槽进行第一次切割，且切割深度为晶圆的厚度和绝缘保护胶层的厚度的总和；步骤e、二次涂覆绝缘保护胶层；所述二次涂覆绝缘保护胶层是对经步骤d制备的晶圆的正面和划片沟槽涂覆绝缘保护胶，且将导电凸块端部裸露在外，而在晶圆正面形成绝缘保护胶层；步骤f、二次切割；所述二次切割是对经步骤e后制备的晶圆采用电磁波探测仪探测步骤d的划片沟槽的位置进行二次切割，且二次切割宽度小于步骤d的第一次切割宽度，尔后将每一个晶粒从贴膜上剥离，制备已封装的器件。