[发明专利]芯片级封装方法

权利要求书

1.一种芯片级封装方法，以多颗晶粒集成为一体，且相邻晶粒之间设有划片沟槽的晶圆为加工对象；其特征在于：所述封装方法的具体步骤是：

步骤a、制备导电凸块；所述制备导电凸块，是在所述晶圆上的每颗晶粒的接触区域上制作导电凸块；

步骤b、减薄；所述减薄是对经步骤a制备的晶圆的背面进行磨片减薄至芯片设计厚度；

步骤c、涂覆绝缘保护胶层；所述涂覆绝缘保护胶层是对经步骤b制备的晶圆的背面涂覆绝缘保护胶，并在晶圆背面形成绝缘保护胶层；

步骤d、切割；所述切割是将经步骤c制备的晶圆的绝缘保护胶层的背面贴到贴膜上固定，然后沿着晶圆上的划片沟槽进行第一次切割，且切割深度为晶圆的厚度和绝缘保护胶层的厚度的总和；

步骤e、二次涂覆绝缘保护胶层；所述二次涂覆绝缘保护胶层是对经步骤d制备的晶圆的正面和划片沟槽涂覆绝缘保护胶，且将导电凸块端部裸露在外，而在晶圆正面形成绝缘保护胶层；

步骤f、二次切割；所述二次切割是对经步骤e后制备的晶圆采用电磁波探测仪探测步骤d的划片沟槽的位置进行二次切割，且二次切割宽度小于步骤d的第一次切割宽度，尔后将每一个晶粒从贴膜上剥离，制备已封装的器件。

2.根据权利要求1所述的芯片级封装方法，其特征在于：所述步骤b中减薄后的晶圆的厚度控制在200μm～230μm范围内。

3.根据权利要求1所述的芯片级封装方法，其特征在于：所述步骤c中晶圆背面形成绝缘保护胶层，是将涂覆绝缘保护胶后的晶圆放置在烘箱内烘燥后取出所形成的，所述烘箱的温度控制在145～155℃范围内，烘燥的时间控制在1.5～2.5小时范围内。

4.根据权利要求1所述的芯片级封装方法，其特征在于：所述步骤e中晶圆正面形成绝缘保护胶层，是将涂覆绝缘保护胶后的晶圆放置在烘箱内烘燥后取出所形成的，所述烘箱的温度控制在145～155℃范围内，烘燥的时间控制在1.5～2.5小时范围内。

5.根据权利要求1所述的芯片级封装方法，其特征在于：所述步骤c和步骤e所用的绝缘保护胶是黑胶、或者是环氧树脂。

6.根据权利要求1所述的芯片级封装方法，其特征在于：所述步骤e中晶圆正面的绝缘保护胶层的厚度与导电凸块的高度是相等的，所述导电凸块的高度是50μm～100μm。