[发明专利]亥姆霍兹线圈辅助PECVD碳源有效
| 申请号： | 201510442722.7 | 申请日： | 2015-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN105316647B | 公开（公告）日： | 2019-06-14 |
| 发明（设计）人： | C·L·普拉特;范朝晖;S·L·塔那卡;C·W·J·童;T·L·格林伯格;X·马 | 申请（专利权）人： | 希捷科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/26 | 分类号： | C23C16/26;C23C16/50 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 侯颖媖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了一种亥姆霍兹线圈辅助PECVD碳源。本实施例公开了装置，所述装置包括至少两个碳源沉积工具用于发射电子、集成在所述碳源沉积工具内的至少两个反射极性后钮扣永磁体用于反射发射电子，以及集成在所述碳源沉积工具内的至少两个成对极性亥姆霍兹线圈用于形成均匀平行磁场线以便限制所述发射电子以使碳均匀地沉积在两侧介质盘的表面上。 | ||
| 搜索关键词： | 亥姆霍兹线圈 辅助 pecvd 碳源 | ||
【主权项】：
1.一种用于材料沉积的装置，包括：至少两个碳源沉积工具，用于发射电子；以及至少两个成对极性亥姆霍兹线圈，集成在所述碳源沉积工具内，被配置为形成垂直于两侧介质盘的均匀平行磁场线用于限制所述发射电子，以使碳均匀地沉积在所述两侧介质盘的表面上。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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