[发明专利]亥姆霍兹线圈辅助PECVD碳源

说明书

公开了一种亥姆霍兹线圈辅助PECVD碳源。本实施例公开了装置，所述装置包括至少两个碳源沉积工具用于发射电子、集成在所述碳源沉积工具内的至少两个反射极性后钮扣永磁体用于反射发射电子，以及集成在所述碳源沉积工具内的至少两个成对极性亥姆霍兹线圈用于形成均匀平行磁场线以便限制所述发射电子以使碳均匀地沉积在两侧介质盘的表面上。

技术领域

本文提供了涉及等离子体增强化学气相沉积(“PECVD”)的装置和方法。

背景技术

控制介质碳覆盖(COC)膜生长的均匀性能影响介质的机械和记录性能。对于介质腐蚀、碳润滑问题和耐久性问题，具有最薄COC的盘的面积引起最大的风险。由于磁头-介质间隔变化，圆周周围一圈(OAR)碳厚度均匀性影响位错误率(BER)OAR性能。记录子系统性能受到由于介质覆盖不均匀性引起的BER变化的限制。

发明内容

本文提供了亥姆霍兹线圈辅助PECVD的装置和方法。

例如在某些实施例中，装置包括至少两个碳源沉积工具用于发射电子、集成在碳源沉积工具内的至少两个反射极性后钮扣永磁体用于反射发射电子，以及集成在碳源沉积工具内的至少两个成对极性亥姆霍兹线圈用于形成均匀平行磁场线以便限制发射电子以使碳均匀地沉积在两侧介质盘的表面上。

附图说明

图1示出一个实施例的亥姆霍兹线圈辅助PECVD碳源的概览的框图。

图2示出一个实施例的亥姆霍兹线圈辅助PECVD碳源的概览流程图的框图。

图3示出一个实施例的亥姆霍兹线圈辅助PECVD碳源装置的概览流程图的框图。

图4示出一个实施例的亥姆霍兹线圈辅助PECVD碳源沉积的概览流程图的框图。

图5仅出于说明性目的示出一个实施例的阳极柱周围电子环形漂移的示例。

图6仅出于说明性目的示出一个实施例的成对极性亥姆霍兹线圈的示例。

图7仅出于说明性目的示出一个实施例的磁瓶的概念的示例。

图8仅出于说明性目的示出一个实施例的安装在碳源上H线圈的示例。

图9仅出于说明性目的示出一个实施例的集成在两侧碳源上的成对极性亥姆霍兹线圈的示例。

图10仅出于说明性目的示出一个实施例的具有集成成对亥姆霍兹线圈的NCT源对的截面图的示例。

图11仅出于说明性目的示出一个实施例的集中电子的示例。

图12仅出于说明性目的示出一个实施例的不均匀碳覆盖在盘上的示例。

图13仅出于说明性目的示出一个实施例的均匀碳覆盖在盘上的示例。

图14仅出于说明性目的示出一个实施例的H线圈磁场与电流的关系的示例。

具体实施方式

在以下描述中，对附图进行了参考，附图构成了示例的一部分且在其中作为示例示出了可实践本发明的具体示例。要理解，可应用其它实施例并作出结构改变而不会脱离实施例的范围。

概览：

应当注意，接下来的描述，例如，就亥姆霍兹线圈辅助PECVD碳源而言是出于说明性目的而进行描述的并且下面的系统能应用于任意数量和多种类型的材料沉积处理。在一个实施例中，可使用成对极性亥姆霍兹线圈配置亥姆霍兹线圈辅助PECVD碳源。使用本发明，亥姆霍兹线圈辅助PECVD碳源可被配置为包括至少两个反射极性后钮扣永磁体并且可被配置为包括与成对极性亥姆霍兹线圈连接的至少两个成对电流。