[发明专利]亥姆霍兹线圈辅助PECVD碳源

权利要求书

1.一种用于材料沉积的装置，包括：

至少两个碳源沉积工具，用于发射电子；以及

至少两个成对极性亥姆霍兹线圈，集成在所述碳源沉积工具内，被配置为形成垂直于两侧介质盘的均匀平行磁场线用于限制所述发射电子，以使碳均匀地沉积在所述两侧介质盘的表面上。

2.如权利要求1所述的装置，进一步包括集成在第一碳源沉积工具内的第一成对极性亥姆霍兹线圈。

3.如权利要求1所述的装置，进一步包括集成在第二碳源沉积工具内的第二成对极性亥姆霍兹线圈。

4.如权利要求1所述的装置，进一步包括第一电流，配置为与第一成对极性亥姆霍兹线圈连接并且配置为形成第一成对极性亥姆霍兹线圈电流流动方向。

5.如权利要求1所述的装置，进一步包括第二电流，配置为与第二成对极性亥姆霍兹线圈连接并且配置为形成第二成对极性亥姆霍兹线圈电流流动方向。

6.如权利要求1所述的装置，进一步包括第一和第二成对极性亥姆霍兹线圈，集成在第一和第二碳源沉积工具内，被配置为产生第一和第二均匀平行磁场线，以使第一和第二发射电子限制并集中在沉积腔室内。

7.如权利要求1所述的装置，进一步包括沉积腔室，被配置为在沉积过程期间在第一和第二均匀平行磁场线内容纳两侧介质盘。

8.如权利要求1所述的装置，进一步包括成对极性亥姆霍兹线圈，被配置有线圈之间的关于所述线圈直径的预定间隔，用于产生第一和第二均匀平行磁场线，以便限制和集中发射电子。

9.如权利要求1所述的装置，进一步包括集成在碳源沉积工具内的第一和第二反射极性后钮扣永磁体。

10.如权利要求1所述的装置，进一步包括用于调节通过所述成对极性亥姆霍兹线圈的电流的电流调整器。

11.一种用于材料沉积的方法，包括：

从2侧碳源沉积工具模块垂直于两侧介质盘发射电子；

使用集成在所述2侧碳源沉积工具内的亥姆霍兹线圈成对极性模块来集中所述发射电子。

12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述亥姆霍兹线圈成对极性模块包括与具有预定极性的至少两个电流连接的至少两个亥姆霍兹线圈。

13.如权利要求11所述的方法，其特征在于，成对极性亥姆霍兹线圈被配置有线圈之间的预定间隔用于产生第一和第二均匀平行磁场线以限制和集中发射电子。

14.如权利要求11所述的方法，其特征在于，从2侧碳源沉积工具模块发射电子被配置为形成沉积腔室，所述沉积腔室被配置为在沉积过程期间在第一和第二均匀平行磁场线内容纳两侧介质盘。

15.如权利要求11所述的方法，进一步包括集成在碳源沉积工具内的第一和第二反射极性后钮扣永磁体，其中所述第一和第二反射极性后钮扣永磁体被配置为在磁瓶的末端收缩磁场。

16.一种用于材料沉积的装置，包括：

至少两个成对极性亥姆霍兹线圈，被集成在两侧碳源沉积工具内，被配置为将碳的电子沉积垂直地引导至两侧介质盘上；

至少两个反射极性后钮扣永磁体，被集成在所述碳源沉积工具内；以及

电流调整器被用于调节通过所述成对极性亥姆霍兹线圈的所述电流并且，

其中，至少一个电子发射细丝的预定线圈间隔、电流和温度被调整以控制均匀碳沉积速率以及沉积厚度。

17.如权利要求16所述的装置，其特征在于，所述两个成对极性亥姆霍兹线圈产生均匀平行磁场线用于限制和集中发射电子。