[发明专利]通过接触氢还原进行的制造方法

摘要

本申请发明所要解决的课题在于，提供用于获得负的Δε大且Δn大的液晶化合物的、通过接触氢还原进行的制造方法、对该制造方法有用的中间体和制造物。用于解决上述课题的方法是，本发明是通过对通式(i)所表示的具有-CH＝CH-或-C≡C-作为连接基团的化合物进行接触氢还原来进行的通式(ii)所表示的化合物的制造方法，提供作为该制造方法中的有用的中间体的通式(i)所表示的化合物和通式(ii)所表示的化合物。

主权项

一种通式(ii)所表示的化合物的制造方法，其通过对通式(i)所表示的化合物进行接触氢还原来进行，[化1]式中，Rⁱ¹和Rⁱ²各自独立地表示碳原子数1至12的烷基或碳原子数1至12的烯基，存在于Rⁱ¹和Rⁱ²中的1个‑CH₂‑或不相邻的2个以上的‑CH₂‑各自独立地可被‑O‑或‑S‑取代，此外，存在于Rⁱ¹和Rⁱ²中的1个或2个以上的氢原子各自独立地可被氟原子或氯原子取代，Mⁱ¹和Mⁱ²各自独立地表示1,4‑亚苯基或萘‑2,6‑二基，存在于Mⁱ¹和Mⁱ²中的1个或2个以上的氢原子各自独立地可被氟原子或氯原子取代，Zⁱ¹表示‑CH＝CH‑或‑C≡C‑，Zⁱ²表示单键、‑OCH₂‑、‑CH₂O‑、‑CF₂O‑、‑OCF₂‑、‑COO‑、‑OCO‑、‑CH₂CH₂‑或‑CF₂CF₂‑，[化2]式中，Rⁱ¹、Rⁱ²、Mⁱ¹、Mⁱ²和Zⁱ¹表示与通式(i)中的Rⁱ¹、Rⁱ²、Mⁱ¹、Mⁱ²和Zⁱ²相同的意思。