[发明专利]具有缓冲层的半导体器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201510410797.7 | 申请日： | 2015-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN104992969B | 公开（公告）日： | 2018-05-01 |
| 发明（设计）人： | 肖海波;苗笑宇;刘根;罗海辉;黄建伟;刘国友 | 申请（专利权）人： | 株洲南车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331;H01L21/205 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙)43008 | 代理人： | 赵洪 |
| 地址： | 412001 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有缓冲层的半导体器件及其制作方法，半导体器件包括位于半导体器件正面的正面结构，以及位于半导体器件背面的背面结构，背面结构进一步包括P+集区，以及位于P+集区之上的N型缓冲层。P+集区和N型缓冲层均采用在半导体器件背面利用低温PECVD工艺直接成膜的薄膜结构。P+集区和N型缓冲层进一步采用低温PECVD工艺的沉积薄膜结构。薄膜进一步采用非晶硅、微晶硅、掺碳非晶硅或硅锗中的任意一种或几种。本发明具有缓冲层的半导体器件及其制作方法能够在不采用离子注入设备及退火工艺的基础上，有效降低半导体器件成本和硅片背面工艺的热预算，并可根据薄膜材料类型的不同调节硅片背面的载流子注入和抽取速率。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 缓冲 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种具有缓冲层的半导体器件制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S100：在硅片进行完正面工艺之后，将硅片的背面减薄到所需厚度；S101：采用PECVD工艺在所述硅片的背面直接沉积薄膜；S102：对所述薄膜进行N型掺杂和P型掺杂，形成N型缓冲层（2）和P+集区（1）。
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