[发明专利]一种LDMOS器件的制造方法

摘要

本发明属于半导体技术，具体的说是涉及一种LDMOS器件的制造方法。本发明LDMOS器件制造方法的主要步骤为：在第二导电类型半导体衬底上表面生成第一导电类型半导体有源层；在第一导电类型半导体有源层上层注入离子形成介质隔离层，所述介质隔离层上表面的第一导电类型半导体有源层形成辅助半导体层；在辅助半导体层中注入第二导电类型半导体杂质；刻蚀辅助半导体层两端至介质隔离层表面形成第一有源区窗口和第二有源区窗口；在第一有源区窗口制造体区和生成源极金属，在第二有源区窗口制造漏接触区和生成漏极金属。本发明的有益效果为，可以保证延伸栅为单晶硅材料，避免多晶栅对于延伸栅器件电学性能的影响。

主权项

1.一种LDMOS器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步：准备半导体材料，所述半导体材料包括衬底层(1)和有源层(2)，所述有源层(2)位于衬底层(1)之上，其中衬底层(1)为第二导电类型半导体，有源层(2)为第一导电类型半导体；第二步：采用离子注入工艺，在有源层(2)上层注入离子形成离子埋层，经退火后离子埋层与有源层(2)生成介质隔离层(3)，所述介质隔离层(3)上表面的有源层(2)形成辅助半导体层(4)，所述辅助半导体层(4)为第一导电类型单晶硅材料；第三步：采用离子注入工艺，在辅助半导体层(4)中注入第二导电类型半导体杂质；第四步：采用刻蚀工艺，刻蚀辅助半导体层(4)两端至介质隔离层(3)表面形成第一有源区窗口和第二有源区窗口；第五步：采用离子注入工艺，在第一有源区窗口下方的有源层(2)中注入第二导电类型半导体杂质，推结后形成第二导电类型半导体体区(6)；第六步：采用离子注入工艺，在第二导电类型半导体体区(6)上层注入第一导电类型半导体杂质形成重掺杂源接触区(71)，在第二有源区窗口下方的有源层(2)上层注入第一导电类型半导体杂质形成重掺杂漏接触区(72)，在靠近第二有源区窗口的辅助半导体层(4)中注入第一导电类型半导体杂质形成重掺杂场截止区(73)；所述重掺杂场截止区(73)与第二源区窗口之间的辅助半导体层(4)形成漏端接触区(83)；第七步：采用离子注入工艺，在第二导电类型半导体体区(6)中注入第二导电类型半导体杂质，在重掺杂源接触区(71)远离重掺杂漏接触区(72)的一侧形成体接触区(81)；采用介质隔离层3充当栅介质，在第二导电类型半导体体区(6)上方的辅助半导体层(4)中注入第二导电类型半导体杂质形成栅接触区(82)；第八步：在第一有源区窗口中制作源极金属，所述源极金属与栅接触区(82)之间具有钝化层介质(9)；在第二有源区窗口中制作漏极金属，所述漏极金属与漏端接触区(83)连接；在栅接触区(82)上表面形成栅极金属。