[发明专利]一种LDMOS器件的制造方法

权利要求书

1.一种LDMOS器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

第一步：准备半导体材料，所述半导体材料包括衬底层(1)和有源层(2)，所述有源层(2)位于衬底层(1)之上，其中衬底层(1)为第二导电类型半导体，有源层(2)为第一导电类型半导体；

第二步：采用离子注入工艺，在有源层(2)上层注入离子形成离子埋层，经退火后离子埋层与有源层(2)生成介质隔离层(3)，所述介质隔离层(3)上表面的有源层(2)形成辅助半导体层(4)，所述辅助半导体层(4)为第一导电类型单晶硅材料；

第三步：采用离子注入工艺，在辅助半导体层(4)中注入第二导电类型半导体杂质；

第四步：采用刻蚀工艺，刻蚀辅助半导体层(4)两端至介质隔离层(3)表面形成第一有源区窗口和第二有源区窗口；

第五步：采用离子注入工艺，在第一有源区窗口下方的有源层(2)中注入第二导电类型半导体杂质，推结后形成第二导电类型半导体体区(6)；

第六步：采用离子注入工艺，在第二导电类型半导体体区(6)上层注入第一导电类型半导体杂质形成重掺杂源接触区(71)，在第二有源区窗口下方的有源层(2)上层注入第一导电类型半导体杂质形成重掺杂漏接触区(72)，在靠近第二有源区窗口的辅助半导体层(4)中注入第一导电类型半导体杂质形成重掺杂场截止区(73)；所述重掺杂场截止区(73)与第二源区窗口之间的辅助半导体层(4)形成漏端接触区(83)；

第七步：采用离子注入工艺，在第二导电类型半导体体区(6)中注入第二导电类型半导体杂质，在重掺杂源接触区(71)远离重掺杂漏接触区(72)的一侧形成体接触区(81)；采用介质隔离层3充当栅介质，在第二导电类型半导体体区(6)上方的辅助半导体层(4)中注入第二导电类型半导体杂质形成栅接触区(82)；

第八步：在第一有源区窗口中制作源极金属，所述源极金属与栅接触区(82)之间具有钝化层介质(9)；在第二有源区窗口中制作漏极金属，所述漏极金属与漏端接触区(83)连接；在栅接触区(82)上表面形成栅极金属。

2.根据权利要求1所述的一种LDMOS器件的制造方法，其特征在于，第一步中所述半导体材料还包括：

介质埋层(10)，所述介质埋层(10)位于第二导电类型半导体衬底(1)和有源层(2)之间。

3.根据权利要求2所述的一种LDMOS器件的制造方法，其特征在于，所述第二步中，在有源层(2)上层注入的离子为氮离子、氧离子或氧氮混合离子。