[发明专利]一种LDMOS器件的制造方法

说明书

本发明属于半导体技术，具体的说是涉及一种LDMOS器件的制造方法。本发明LDMOS器件制造方法的主要步骤为：在第二导电类型半导体衬底上表面生成第一导电类型半导体有源层；在第一导电类型半导体有源层上层注入离子形成介质隔离层，所述介质隔离层上表面的第一导电类型半导体有源层形成辅助半导体层；在辅助半导体层中注入第二导电类型半导体杂质；刻蚀辅助半导体层两端至介质隔离层表面形成第一有源区窗口和第二有源区窗口；在第一有源区窗口制造体区和生成源极金属，在第二有源区窗口制造漏接触区和生成漏极金属。本发明的有益效果为，可以保证延伸栅为单晶硅材料，避免多晶栅对于延伸栅器件电学性能的影响。

技术领域

本发明属于半导体技术，具体的说是涉及一种LDMOS(Lateral Double-diffusionMetal Oxide Semiconductor field effect transistor，横向双扩散金属-氧化物-半导体场效应晶体管)器件的制造方法。

背景技术

与VDMOS(Vertical Double-diffused MOSFET，垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管)相比，LDMOS具有开关速度快以及便于集成等特点。因此，LDMOS在功率集成电路，尤其是射频电路中应用十分广泛。

LDMOS的关键参数是外延层厚度，掺杂浓度区和漂移长度。对于常规LDMOS，比导通电阻R_on,sp(比导通电阻＝导通电阻×器件面积)与耐压BV之间存在矛盾关系：R_on,sp∝BV^2.5。降低漂移区掺杂浓度，增长漂移区可以提高器件的耐压，但同时也增加了器件的比导通电阻，提高了器件的功耗。延伸栅器件不仅具有高的耐压，低的比导通电阻，改善了耐压与比导通电阻的矛盾关系，而且具有良好的温度特性。该类器件的栅是一种复合结构，延伸栅包含辅助半导体层和介质隔离层，辅助半导体层包含栅接触区、低掺杂辅助耗尽、场截止区和漏接触区，介质隔离层包含栅介质和场介质。

与单晶硅相比，多晶硅存在泄漏电流大，实验重复性差等缺点，会影响延伸栅的电学性能，因此多晶硅并不适合用于制作延伸栅。然而，常规栅工艺形成的是多晶硅栅，因而需一种工艺制造单晶硅延伸栅，以保证延伸栅器件的性能。

发明内容

本发明所要解决的，就是针对上述问题，提出一种LDMOSFET器件的制造方法，保证辅助半导体层为单晶硅的前提下，避免以上多晶硅缺点对器件性能产生影响。

为实现上述目的，本发明采用如下技术方案：

一种LDMOS器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

第一步：准备半导体材料，所述半导体材料包括衬底层1和有源层2，所述有源层2位于衬底层1的之上，其中衬底层1为第二导电类型半导体，有源层2为第一导电类型半导体；

第二步：采用离子注入工艺，在有源层2上层注入离子形成离子埋层，经退火后离子埋层与有源层2生成介质隔离层3，所述介质隔离层3上表面的有源层2形成辅助半导体层4；

第三步：采用离子注入工艺，在辅助半导体层4中注入第二导电类型半导体杂质；

第四步：采用刻蚀工艺，刻蚀辅助半导体层4两端至介质隔离层3表面形成第一有源区窗口和第二有源区窗口；

第五步：采用离子注入工艺，在第一有源区窗口下方的有源层2中注入第二导电类型半导体杂质，推结后形成第二导电类型半导体体区6；

第六步：采用离子注入工艺，在第二导电类型半导体体区6上层注入第一导电类型半导体杂质形成重掺杂源接触区71，在第二有源区窗口下方的有源层2上层注入第一导电类型半导体杂质形成重掺杂漏接触区72，在靠近第二有源区窗口的辅助半导体层4中注入第一导电类型半导体杂质形成重掺杂场截止区73；所述重掺杂场截止区73与第二源区窗口之间的辅助半导体层4形成漏端接触区83；