[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板以及显示装置有效
| 申请号： | 201510409418.2 | 申请日： | 2015-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN105140291B | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 张慧;王强涛 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/423;H01L29/66 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板以及显示装置，属于显示装置领域。所述薄膜晶体管包括：基板、以及依次形成于所述基板上的第一栅极、有源层和第二栅极，沿垂直于所述基板的方向，所述有源层夹设于所述第一栅极和所述第二栅极之间，所述第一栅极和所述第二栅极均与所述有源层绝缘设置，所述第一栅极为金属挡光层，所述第一栅极与所述第二栅极通过过孔连接，所述有源层为低温多晶硅材料有源层。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制作方法 阵列 以及 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：基板、以及依次形成于所述基板上的第一栅极、有源层和第二栅极，沿垂直于所述基板的方向，所述有源层夹设于所述第一栅极和所述第二栅极之间，所述第一栅极和所述第二栅极均与所述有源层绝缘设置，所述第一栅极为金属挡光层，所述第一栅极与所述第二栅极通过过孔连接，所述有源层为低温多晶硅材料有源层；所述第一栅极包括位于所述有源层的正下方的第一部分以及从所述第一部分延伸出来的第二部分，所述第二部分与所述第二栅极通过所述过孔连接，所述过孔设置在所述有源层未设置源极和漏极的一侧边；所述薄膜晶体管还包括覆盖在所述第一栅极上的缓冲层和覆盖在所述有源层上的栅极绝缘层，所述过孔依次穿过所述栅极绝缘层和所述缓冲层。
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