[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板以及显示装置

说明书

本发明公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板以及显示装置，属于显示装置领域。所述薄膜晶体管包括：基板、以及依次形成于所述基板上的第一栅极、有源层和第二栅极，沿垂直于所述基板的方向，所述有源层夹设于所述第一栅极和所述第二栅极之间，所述第一栅极和所述第二栅极均与所述有源层绝缘设置，所述第一栅极为金属挡光层，所述第一栅极与所述第二栅极通过过孔连接，所述有源层为低温多晶硅材料有源层。

技术领域

本发明涉及显示装置领域，特别涉及一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板以及显示装置。

背景技术

薄膜晶体管是液晶显示装置中必不可少的控制器件，普通的薄膜晶体管主要包括栅极、设置在栅极上的栅极绝缘层、设置在栅极绝缘层上的有源层、以及设置在有源层相对两侧的源极和漏极。

而随着显示技术的发展，新出现了一种具有双栅极结构的薄膜晶体管，这种双栅极结构的薄膜晶体管主要包括第一栅极、设置在第一栅极上的第一栅极绝缘层、设置在第一栅极绝缘层上的有源层、设置在有源层相对两侧的源极和漏极、设置在源极和漏极上的第二栅极绝缘层以及设于第二栅极绝缘层上的第二栅极。

这种双栅极结构的薄膜晶体管的制作工艺相比于单栅极结构的薄膜晶体管的制作工艺，增加了额外的第二栅极(蒸镀、曝光、显影、刻蚀)和第二栅极绝缘层(蒸镀)的制作过程，大大增加了工艺程序的复杂程度以及成本投入。

发明内容

本发明实施例提供了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板以及显示装置，使得双栅极结构的薄膜晶体管的制作工艺得到简化。所述技术方案如下：

第一方面，本发明实施例提供了一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：基板、以及依次形成于所述基板上的第一栅极、有源层和第二栅极，沿垂直于所述基板的方向，所述有源层夹设于所述第一栅极和所述第二栅极之间，所述第一栅极和所述第二栅极均与所述有源层绝缘设置，所述第一栅极为金属挡光层，所述第一栅极与所述第二栅极通过过孔连接，所述有源层为低温多晶硅材料有源层；

所述第一栅极包括位于所述有源层的正下方的第一部分以及从所述第一部分延伸出来的第二部分，所述第二部分与所述第二栅极通过所述过孔连接，所述过孔设置在所述有源层未设置源极和漏极的一侧边；

所述薄膜晶体管还包括覆盖在所述第一栅极上的缓冲层和覆盖在所述有源层上的栅极绝缘层，所述过孔依次穿过所述栅极绝缘层和所述缓冲层。

在本发明实施例的另一种实现方式中，所述第一栅极和所述第二栅极采用相同的材料制成。

在本发明实施例的另一种实现方式中，所述第一栅极为Cr、Al、Cu、Ti、Ta或Mo金属层，或者Cr、Al、Cu、Ti、Ta或Mo中的至少两种形成的合金层。

在本发明实施例的另一种实现方式中，所述薄膜晶体管还包括分别设置在所述有源层相对两侧且与所述有源层相接触的源极和漏极。

第二方面，本发明实施例还提供了一种薄膜晶体管制作方法，所述方法包括：

提供一基板；

在所述基板上制作第一栅极，所述第一栅极为金属挡光层；

在所述第一栅极上制作有源层，所述有源层为低温多晶硅材料有源层；

在所述有源层上制作第二栅极，所述第二栅极与所述第一栅极通过过孔连接，沿垂直于所述基板的方向，所述有源层夹设于所述第一栅极和所述第二栅极之间，所述第一栅极和所述第二栅极均与所述有源层绝缘设置；

所述第一栅极包括位于所述有源层的正下方的第一部分以及从所述第一部分延伸出来的第二部分，所述第二部分与所述第二栅极通过所述过孔连接，所述过孔设置在所述有源层未设置源极和漏极的一侧边；

所述方法还包括：