[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板以及显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：基板、以及依次形成于所述基板上的第一栅极、有源层和第二栅极，沿垂直于所述基板的方向，所述有源层夹设于所述第一栅极和所述第二栅极之间，所述第一栅极和所述第二栅极均与所述有源层绝缘设置，所述第一栅极为金属挡光层，所述第一栅极与所述第二栅极通过过孔连接，所述有源层为低温多晶硅材料有源层；

所述第一栅极包括位于所述有源层的正下方的第一部分以及从所述第一部分延伸出来的第二部分，所述第二部分与所述第二栅极通过所述过孔连接，所述过孔设置在所述有源层未设置源极和漏极的一侧边；

所述薄膜晶体管还包括覆盖在所述第一栅极上的缓冲层和覆盖在所述有源层上的栅极绝缘层，所述过孔依次穿过所述栅极绝缘层和所述缓冲层。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一栅极和所述第二栅极采用相同的材料制成。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一栅极为Cr、Al、Cu、Ti、Ta或Mo金属层，或者Cr、Al、Cu、Ti、Ta或Mo中的至少两种形成的合金层。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括分别设置在所述有源层相对两侧且与所述有源层相接触的源极和漏极。

5.一种薄膜晶体管制作方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一基板；

在所述基板上制作第一栅极，所述第一栅极为金属挡光层；

在所述第一栅极上制作有源层，所述有源层为低温多晶硅材料有源层；

在所述有源层上制作第二栅极，所述第二栅极与所述第一栅极通过过孔连接，沿垂直于所述基板的方向，所述有源层夹设于所述第一栅极和所述第二栅极之间，所述第一栅极和所述第二栅极均与所述有源层绝缘设置；

所述第一栅极包括位于所述有源层的正下方的第一部分以及从所述第一部分延伸出来的第二部分，所述第二部分与所述第二栅极通过所述过孔连接，所述过孔设置在所述有源层未设置源极和漏极的一侧边；

所述方法还包括：

在所述第一栅极上制作缓冲层；

在所述有源层上制作栅极绝缘层；

制作所述过孔，所述过孔依次穿过所述栅极绝缘层和所述缓冲层。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第一栅极和所述第二栅极采用相同的材料制成。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第一栅极为Cr、Al、Cu、Ti、Ta或Mo金属层，或者Cr、Al、Cu、Ti、Ta或Mo中的至少两种形成的合金层。

8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

生长源极和漏极，所述源极和漏极设置在所述有源层相对两侧且与所述有源层相接触。

9.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括权利要求1-4任一项所述的薄膜晶体管。

10.根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括驱动区域和显示区域，所述驱动区域包括所述薄膜晶体管。

11.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求9所述的阵列基板。