[发明专利]一种半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201510399764.7 | 申请日： | 2015-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN105097698A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 谢将相;梁发正 | 申请（专利权）人： | 北京慧摩尔科技有限公司;谢将相 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种包含NMOS器件和PMOS器件的半导体器件的制造方法，包括：在衬底中分别形成包围NMOS区域的浅沟槽隔离STI 1和包围PMOS区域的PMOS浅沟槽隔离STI 2；向STI 2的填充材料二氧化硅中实施掺杂处理；在衬底上NMOS区域、PMOS区域和包围NMOS区域的浅沟槽隔离STI 1上栅极堆叠结构；在NMOS区域、PMOS区域的栅极堆叠结构周围形成栅极侧墙；选择性刻蚀PMOS区域衬底，在栅极侧墙两侧形成PMOS源漏沟槽；在PMOS源漏沟槽中形成第一源漏提升区。选择性在衬底上NMOS区域和PMOS区域形成盖层，该盖层同时作为NMOS区域的第二源漏提升区。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，包括：在单晶硅衬底中形成浅沟槽，定义出由所述浅沟槽包围的NMOS区域和PMOS区域；向沟槽中填充二氧化硅，分别形成包围NMOS区域的浅沟槽隔离STI 1和包围PMOS区域的PMOS浅沟槽隔离STI 2；对PMOS浅沟槽隔离STI 2的二氧化硅进行掺杂处理，形成具有张应力的PMOS浅沟槽隔离STI 2；在衬底上NMOS区域、PMOS区域和包围NMOS区域的浅沟槽隔离STI 1上形成栅极堆叠结构；在NMOS区域和PMOS区域的栅极堆叠结构周围形成栅极侧墙；选择性刻蚀PMOS区域衬底，在栅极侧墙两侧形成PMOS源漏沟槽，该PMOS源漏沟槽的深度小于浅沟槽隔离STI 2的深度；在PMOS源漏沟槽中形成SiGe或SiGe:C的第一源漏提升区；选择性在NMOS区域和PMOS区域衬底上形成Si或Si:C盖层，同时作为NMOS区域的第二源漏提升区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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