[发明专利]晶片封装体有效
| 申请号： | 201510390579.1 | 申请日： | 2010-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN105118819B | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 蔡佳伦;郑家明;尤龙生 | 申请（专利权）人： | 精材科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 中国台湾桃园市中*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种晶片封装体，其可在实施封装层的切割制程前，先通过晶片保护层或增设的蚀刻阻挡层覆盖在导电垫上，避免导电垫被切割残余物损害及刮伤。本发明还可选择以晶片保护层、晶片保护层上增设的蚀刻阻挡层或与导电垫同一位阶高度的金属蚀刻阻挡层或其组合，来对结构蚀刻区的层间介电层和硅基板进行蚀刻，以形成开口，便于后续半导体结构的制作，同时提高晶片封装体的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 封装 | ||
【主权项】：
一种晶片封装体，其特征在于，包括：一半导体基板，具有一结构蚀刻区、一元件区和一接垫区，其中该结构蚀刻区、该元件区及该接垫区为水平间隔；多个导电垫，设置于该半导体基板的该接垫区上；一晶片保护层，覆盖于该半导体基板上；一绝缘蚀刻阻挡层，该绝缘蚀刻阻挡层位于该晶片保护层上；其中，于该结构蚀刻区处，该晶片保护层与该绝缘蚀刻阻挡层具有一连通的第一开口，且该第一开口贯穿该半导体基板；及一封装层，覆盖该晶片保护层，其中该封装层、该晶片保护层及该绝缘蚀刻阻挡层具有暴露出所述导电垫的第二开口，其中该第一开口和该第二开口具有水平间隔。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于精材科技股份有限公司，未经精材科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510390579.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种尖锐前缘的制备方法
- 下一篇：陶瓷相多组元复合材料预制件的制备方法
