[发明专利]晶片封装体有效
| 申请号： | 201510390579.1 | 申请日： | 2010-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN105118819B | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 蔡佳伦;郑家明;尤龙生 | 申请（专利权）人： | 精材科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 中国台湾桃园市中*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶片 封装 | ||
1.一种晶片封装体，其特征在于，包括：
一半导体基板，具有一结构蚀刻区、一元件区和一接垫区，其中该结构蚀刻区、该元件区及该接垫区为水平间隔；
多个导电垫，设置于该半导体基板的该接垫区上；
一晶片保护层，覆盖于该半导体基板上；
一绝缘蚀刻阻挡层，该绝缘蚀刻阻挡层位于该晶片保护层上；其中，于该结构蚀刻区处，该晶片保护层与该绝缘蚀刻阻挡层具有一连通的第一开口，且该第一开口贯穿该半导体基板；及
一封装层，覆盖该晶片保护层，其中该封装层、该晶片保护层及该绝缘蚀刻阻挡层具有暴露出所述导电垫的第二开口，其中该第一开口和该第二开口具有水平间隔。
2.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，还包括一间隔层设置于该封装层与该晶片保护层之间。
3.根据权利要求2所述的晶片封装体，其特征在于，还包括一间隙形成于该封装层与该晶片保护层之间，且其中该间隙被该间隔层所围绕。
4.根据权利要求2所述的晶片封装体，其特征在于，该封装层包括一硅基板或一透明基板。
5.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该晶片保护层与该半导体基板之间还包括一层间介电层。
6.根据权利要求5所述的晶片封装体，其特征在于，该绝缘蚀刻阻挡层和该层间介电层及该半导体基板具有不同的蚀刻选择比。
7.根据权利要求6所述的晶片封装体，其特征在于，该绝缘蚀刻阻挡层的材料包括氮化硅层、氮氧化硅层、或氮化硅层/氧化硅层的复合层。
8.根据权利要求6所述的晶片封装体，其特征在于，该绝缘蚀刻阻挡层的蚀刻率为该层间介电层的蚀刻率的一半或更低。
9.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该绝缘蚀刻阻挡层与该晶片保护层的材料相同。
10.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，还包括一金属蚀刻阻挡层，该金属蚀刻阻挡层设置于与所述导电垫同一位阶高度。
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