[发明专利]晶片封装体

说明书

本申请是申请日为2010年8月13日、申请号为201010256060.1、发明名称为“晶片封装体及其制造方法”的申请的分案申请。

技术领域

本发明有关于一种晶片封装体，特别有关于一种包括蚀刻阻挡层或导电垫保护层的晶片封装体及其制造方法。

背景技术

目前业界针对晶片的封装已发展出一种晶圆级封装技术，于晶圆级封装体完成之后，需在各晶片之间进行切割步骤，以分离各晶片，然而在切割封装层时，却有可能导致暴露的导电垫受到残留碎屑的损伤。

另外在需要蚀刻硅基板的场合中，如何选择良好的蚀刻阻挡层，以提高晶片封装体的良率，为当前的主要课题。

因此，业界亟需一种新颖的晶片封装体及其制作方法，以克服上述问题。

发明内容

本发明提供一种晶片封装体及其制造方法，其可在实施封装层的切割制程前，先通过晶片保护层或增设的蚀刻阻挡层覆盖在导电垫上，避免导电垫被切割残余物损害及刮伤。依据本发明的另一实施例，可选择以晶片保护层、晶片保护层上增设的蚀刻阻挡层或与导电垫同一位阶高度的金属蚀刻阻挡层或其组合，来对结构蚀刻区的层间介电层和硅基板进行蚀刻，以形成开口，便于后续半导体结构的制作，同时提高晶片封装体的良率。

本发明提供一种晶片封装体，其包括：一半导体基板，具有一结构蚀刻区、一元件区和一接垫区，其中该结构蚀刻区、该元件区及该接垫区为水平间隔；多个导电垫，设置于该半导体基板的该接垫区上；一晶片保护层，覆盖于该半导体基板上；一绝缘蚀刻阻挡层，该绝缘蚀刻阻挡层位于该晶片保护层上；其中，于该结构蚀刻区处，该晶片保护层与该绝缘蚀刻阻挡层具有一连通的第一开口，且该第一开口贯穿该半导体基板；及一封装层，覆盖该晶片保护层，其中该封装层、该晶片保护层及该绝缘蚀刻阻挡层，具有暴露出所述导电垫的第二开口，其中该第一开口和该第二开口具有水平间隔。

本发明提供一种晶片封装体，包括：一半导体基板，具有一结构蚀刻区、一元件区和一接垫区；多个导电垫，设置于该半导体基板的该接垫区上；一晶片保护层，覆盖于该半导体基板上；一绝缘蚀刻阻挡层及/或一金属蚀刻阻挡层，该绝缘蚀刻阻挡层位于该晶片保护层上，该金属蚀刻阻挡层与所述导电垫位于同一位阶高度；其中，于该结构蚀刻区处，该晶片保护层与该绝缘蚀刻阻挡层及/或该金属蚀刻阻挡层具有一连通的开口；及一封装层，覆盖该晶片保护层，其中该封装层、该晶片保护层及/或该绝缘蚀刻阻挡层，具有暴露出所述导电垫的开口。

本发明所述的晶片封装体，还包括一间隔层设置于该封装层与该晶片保护层之间。

本发明所述的晶片封装体，还包括一间隙形成于该封装层与该晶片保护层之间，且其中该间隙被该间隔层所围绕。

本发明所述的晶片封装体，该封装层包括一硅基板或一透明基板。

本发明所述的晶片封装体，该晶片保护层与该半导体基板之间还包括一层间介电层。

本发明所述的晶片封装体，该绝缘蚀刻阻挡层和该层间介电层及该半导体基板具有不同的蚀刻选择比。

本发明所述的晶片封装体，该绝缘蚀刻阻挡层的材料包括氮化硅层、氮氧化硅层、或氮化硅层/氧化硅层的复合层。

本发明所述的晶片封装体，该绝缘蚀刻阻挡层与该晶片保护层的材料相同。

本发明另提供一种晶片封装体的制造方法，包括：提供一半导体基板，该半导体基板由一层间介电层所覆盖，该半导体基板包括多个元件区，任两个相邻的元件区之间包括一周边接垫区，且该周边接垫区包括多个导电垫；提供一晶片保护层，覆盖该层间介电层及所述导电垫；形成一封装层以覆盖该晶片保护层；切割该封装层以暴露出该周边接垫区；及定义该晶片保护层，以暴露出该周边接垫区上的所述导电垫，其中所述导电垫在切割该封装层之前被该晶片保护层所覆盖。

本发明所述的晶片封装体的制造方法，还包括沿着该周边接垫区分割该半导体基板，以形成多个晶片封装体。