[发明专利]蚀刻方法和蚀刻装置

摘要

本发明涉及蚀刻方法和蚀刻装置。[课题]在对被壁部(62)划分了蚀刻区域的SiO₂层(61)蚀刻至到达下层之前的中途阶段为止时，改善粗糙度与微负载。[解决手段]对载置于处理容器(1)的晶圆W，间歇地供给预先混合了HF气体与NH₃气体的混合气体。通过间歇地供给混合气体，由混合气体与SiO₂的反应产物形成的保护膜在停止供给混合气体的期间通过真空排气而升华(挥发)。因此，无论图案的疏密，蚀刻速度都均匀并改善了微负载。另外，通过预先混合HF气体与NH₃气体而供给至晶圆W，可以抑制附着于晶圆W的表面的HF浓度的偏差，改善粗糙度并且谋求进一步改善微负载。

主权项

一种蚀刻方法，其特征在于，对被图案层划分了蚀刻区域的被处理基板上的氧化硅层进行蚀刻、到达该氧化硅层的下层之前停止蚀刻的方法中，进行以下的工序：在真空气氛中对被处理基板进行加热的工序；和从气体供给部向所述被处理基板间歇地多次供给预先混合了氟化氢气体与氨气的处理气体、及包含含有氮、氢、氟的化合物的处理气体中的至少一种用于蚀刻的处理气体的工序。