[发明专利]蚀刻方法和蚀刻装置

权利要求书

1.一种蚀刻方法，其特征在于，对载置于处理容器内的被疏密的图案层划分了蚀刻区域的被处理基板上的氧化硅层以均匀的蚀刻速度进行蚀刻、到达该氧化硅层的下层之前停止蚀刻的方法中，包含以下的工序：

在真空气氛中对被处理基板进行加热的工序；

从气体供给部向所述被处理基板供给预先混合了氟化氢气体与氨气的处理气体作为蚀刻气体的工序；和

停止所述蚀刻气体的供给的工序，

并且，供给所述蚀刻气体的工序和停止所述蚀刻气体的供给的工序重复多次，

在向所述被处理基板供给所述蚀刻气体时，在供给所述蚀刻气体之前从所述气体供给部向所述被处理基板供给所述氨气，

预先供给氨气的时间为0.5秒至15秒；

其中所述处理容器的内表面的温度为140±10℃；

其中对所述被处理基板每次供给处理气体的时间长为0.5秒～5秒，对所述被处理基板每次停止供给处理气体的时间长为5秒～20秒。

2.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于，所述气体供给部具有面向载置于处理容器内的被处理基板的多个气体供给孔。

3.一种蚀刻装置，其特征在于，其为对被图案层划分了蚀刻区域的被处理基板上的氧化硅层进行蚀刻、在到达该氧化硅层的下层之前停止蚀刻的方法所使用的装置，其具备：

具有载置被处理基板的载置部的处理容器；

为了对载置于所述载置部的被处理基板供给预先混合了氟化氢气体与氨气的处理气体作为蚀刻气体而构成、且以面对被处理基板的方式设置有多个气体供给孔的气体供给部，

用于对所述处理容器内进行真空排气的真空排气部；和

输出控制信号的控制部，所述控制信号以重复进行用于从所述气体供给部对所述被处理基板多次供给用于蚀刻的处理气体的工序；以及、停止所述蚀刻气体的供给的工序的方式来控制所述气体供给部，并且

所述控制部在对所述被处理基板供给所述蚀刻气体中，在供给所述蚀刻气体之前由所述气体供给部对所述被处理基板供给所述氨气，并且预先供给氨气的时间为0.5秒至15秒；

其中所述处理容器的内表面的温度为140±10℃；

其中对所述被处理基板每次供给处理气体的时间长为0.5秒～5秒，对所述被处理基板每次停止供给处理气体的时间长为5秒～20秒。