[发明专利]蚀刻方法和蚀刻装置

说明书

本发明涉及蚀刻方法和蚀刻装置。[课题]在对被壁部(62)划分了蚀刻区域的SiO₂层(61)蚀刻至到达下层之前的中途阶段为止时，改善粗糙度与微负载。[解决手段]对载置于处理容器(1)的晶圆W，间歇地供给预先混合了HF气体与NH₃气体的混合气体。通过间歇地供给混合气体，由混合气体与SiO₂的反应产物形成的保护膜在停止供给混合气体的期间通过真空排气而升华(挥发)。因此，无论图案的疏密，蚀刻速度都均匀并改善了微负载。另外，通过预先混合HF气体与NH₃气体而供给至晶圆W，可以抑制附着于晶圆W的表面的HF浓度的偏差，改善粗糙度并且谋求进一步改善微负载。

技术领域

本发明涉及向被处理基板的表面供给处理气体进行蚀刻处理的技术。

背景技术

由于半导体器件正在向多样化发展，因此在半导体制造业界中，需要与各种新的工艺相适应。例如存在以下的工艺：使作为图案层的硅的壁部隔开间隔并平行排列，对被这些壁部划分了蚀刻区域的SiO₂(氧化硅)层进行蚀刻，并在SiO₂层的中途停止蚀刻。

作为对SiO₂层进行蚀刻的方法，已知有例如：如专利文献1记载的利用HF(氟化氢)气体和NH₃(氨)气体的化学的氧化物去除处理(Chemical Oxide Removal)的方法。该方法是为了对形成于半导体晶圆(以下称为“晶圆”)的表面的SiO₂层进行蚀刻，边加热晶圆边向处理容器内供给HF气体和NH₃气体的方法。由于这些气体与SiO₂反应而生成(NH₄)₂SiF₆(硅氟化铵)，因此通过加热该(NH₄)₂SiF₆并使其升华来去除SiO₂。

当利用该方法进行在SiO₂层的中途停止蚀刻的工艺时，有时要求蚀刻后的SiO₂层的表面的粗糙(粗糙度)良好。另外如上述的例子这样，当沿着图案层对SiO₂层进行蚀刻时，需要抑制会对应图案的疏密而在蚀刻速度上产生差别的微负载。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2009-156774号公报

发明内容

发明要解决的问题

本发明是鉴于上述问题而作出的，目的在于提供一种可以在对被图案层划分了蚀刻区域的SiO₂层蚀刻至到达下层之前的中途阶段为止时，改善粗糙度和微负载的技术。

用于解决问题的方案

本发明的蚀刻方法的特征在于，对被图案层划分了蚀刻区域的被处理基板上的氧化硅层进行蚀刻、到达该氧化硅层的下层之前停止蚀刻的方法中，进行以下的工序：

在真空气氛中对被处理基板进行加热的工序；和

从气体供给部向前述被处理基板间歇地多次供给预先混合了氟化氢气体与氨气的处理气体、及包含含有氮、氢、氟的化合物的处理气体中的至少一种的用于蚀刻的处理气体的工序。

本发明的存储介质的特征在于，其为存储了装置所使用的计算机程序的存储介质，所述装置在处理容器内对被处理基板在真空气氛下利用用于蚀刻的处理气体进行蚀刻，

为了实施上述蚀刻方法，前述计算机程序包含步骤组。