[发明专利]包括栅电极的半导体器件在审
| 申请号： | 201510378321.X | 申请日： | 2015-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN105304724A | 公开（公告）日： | 2016-02-03 |
| 发明（设计）人： | 权一雄 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L27/115;H01L21/8239;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;毋二省 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括：多个第一栅电极，掩埋在包括有源区和器件隔离膜的半导体衬底中；多个结区，包括储存节点结区和置于储存节点结区之间的位线结区；多个储存节点接触插塞，分别置于储存节点结区之上并耦接到储存节点结区；多个储存节点，分别置于储存节点接触插塞之上并耦接到储存节点接触插塞；以及第二栅电极，置于储存节点接触插塞中的对应的一个的侧壁之上。一种垂直晶体管，包括第二栅电极和对应的储存节点接触插塞，并储存从储存节点中的对应的一个储存节点泄漏的电荷。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 电极 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：多个第一栅电极，掩埋在包括有源区和器件隔离膜的半导体衬底中；多个结区，每个所述结区置于两个相邻第一栅电极之间的所述有源区的部分中，所述结区包括储存节点结区以及置于所述储存节点结区之间的位线结区；多个储存节点接触插塞，分别置于所述储存节点结区之上并耦接到所述储存节点结区；多个储存节点，分别耦接到所述储存节点接触插塞并置于所述储存节点接触插塞之上；以及第二栅电极，置于所述储存节点接触插塞中的一个对应的储存节点接触插塞的侧壁之上，其中，垂直晶体管包括所述第二栅电极和所述对应的储存节点接触插塞，并储存从所述储存节点中的对应的一个储存节点中泄漏的电荷。
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