[发明专利]包括栅电极的半导体器件在审
| 申请号： | 201510378321.X | 申请日： | 2015-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN105304724A | 公开（公告）日： | 2016-02-03 |
| 发明（设计）人： | 权一雄 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L27/115;H01L21/8239;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;毋二省 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 包括 电极 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件，包括：
多个第一栅电极，掩埋在包括有源区和器件隔离膜的半导体衬底中；
多个结区，每个所述结区置于两个相邻第一栅电极之间的所述有源区的部分中，所述结区包括储存节点结区以及置于所述储存节点结区之间的位线结区；
多个储存节点接触插塞，分别置于所述储存节点结区之上并耦接到所述储存节点结区；
多个储存节点，分别耦接到所述储存节点接触插塞并置于所述储存节点接触插塞之上；以及
第二栅电极，置于所述储存节点接触插塞中的一个对应的储存节点接触插塞的侧壁之上，
其中，垂直晶体管包括所述第二栅电极和所述对应的储存节点接触插塞，并储存从所述储存节点中的对应的一个储存节点中泄漏的电荷。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，结区的侧壁与所述第一栅电极中的对应的一个第一栅电极的侧壁部分地重叠。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述结区包括N型杂质。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一栅电极和所述第二栅电极每个均包括栅绝缘膜和金属阻挡层。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述储存节点接触插塞包括N型多晶硅层或硅外延层、或两者都被包括。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，每个所述的储存节点接触插塞包括n-p-n结构，其中第一N型层、P型基体和第二N型层置于所述n-p-n结构中。
7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述P型基体置于所述第一N型层与所述第二N型层之间，并包括P型杂质。
8.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述第二栅电极置于所述n-p-n结构的所述P型基体的第一侧壁之上。
9.一种半导体器件，包括：
多个第一栅电极，掩埋在包括有源区和器件隔离膜的半导体衬底中；
多个结区，每个所述结区置于两个相邻的第一栅电极之间的所述有源区的部分中，所述多个结区包括储存节点结区以及置于所述储存节点结区之间的位线结区；
多个储存节点接触插塞，分别置于所述储存节点结区之上并耦接到所述储存节点结区；
多个储存节点，分别耦接到所述储存节点接触插塞并置于所述储存节点接触插塞之上；以及
多个第二栅电极，分别置于所述第一栅电极之上，且被配置用来阻止置于所述有源区中的所述储存节点的电荷泄漏，
其中，每个所述第一栅电极与所述第二栅电极中的对应的一个第二栅电极通过绝缘膜图案相互隔离。
10.一种半导体器件，包括：
两个相邻的第一栅电极，所述第一栅电极中的一个掩埋在有源区中，而所述第一栅电极中的另一个掩埋在器件隔离膜中，所述器件隔离膜在半导体衬底中定义所述有源区；
储存节点接触结区，置于设置在所述第一栅电极之间的所述有源区的部分中；
储存节点接触插塞，置于所述储存节点接触结区之上，并包括第一N型图案、P型基体以及第二N型图案；
储存节点，置于所述储存节点接触插塞之上；以及
第二栅电极，置于所述P型基体的侧壁之上。
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