[发明专利]悬空栅极鳍形半导体器件制备方法在审
| 申请号： | 201510375499.9 | 申请日： | 2015-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN105047701A | 公开（公告）日： | 2015-11-11 |
| 发明（设计）人： | 黄秋铭 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种悬空栅极鳍形半导体器件制备方法，包括：提供衬底，并且在所述衬底上形成具有翅片结构硅基体，该翅片结构硅基体包含源极结构、漏极结构以及位于所述源极结构和漏极结构之间的鳍形沟道结构；在鳍形沟道结构和衬底表面上覆盖氧化物层；干法蚀刻或SICONI蚀刻氧化物层直到鳍形沟道结构顶部上表面及顶部拐角处的鳍形沟道结构材料露出；对露出的鳍形沟道结构进行外延生长，以形成处于鳍形沟道结构顶部的膨胀区域；去除剩余的氧化物层；热氧化处理使所述鳍形沟道结构被完全氧化成氧化物，并且使得所述膨胀区域的表层被氧化成氧化物；去除氧化物，以便由暴露的内层形成悬空于衬底上方的沟道。 | ||
| 搜索关键词： | 悬空 栅极 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种悬空栅极鳍形半导体器件制备方法，其特征在于包括：第一步骤，其中提供衬底，并且在所述衬底上形成具有翅片结构硅基体，该翅片结构硅基体包含源极结构、漏极结构以及位于所述源极结构和漏极结构之间的鳍形沟道结构；第二步骤，其中在鳍形沟道结构和衬底表面上覆盖氧化物层；第三步骤，其中干法蚀刻或SICONI蚀刻氧化物层直到鳍形沟道结构顶部上表面及顶部拐角处的鳍形沟道结构材料露出；第四步骤，其中对露出的鳍形沟道结构进行外延生长，以形成处于鳍形沟道结构顶部的膨胀区域；第五步骤，其中去除剩余的氧化物层；第六步骤，其中热氧化处理使所述鳍形沟道结构被完全氧化成氧化物，并且使得所述膨胀区域的表层被氧化成氧化物，所述膨胀区域的内层保持为未氧化状态；第七步骤，其中去除氧化物，以便由暴露的内层形成悬空于衬底上方的沟道。
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