[发明专利]悬空栅极鳍形半导体器件制备方法

权利要求书

1.一种悬空栅极鳍形半导体器件制备方法，其特征在于包括：

第一步骤，其中提供衬底，并且在所述衬底上形成具有翅片结构硅基体，该翅片结构硅基体包含源极结构、漏极结构以及位于所述源极结构和漏极结构之间的鳍形沟道结构；

第二步骤，其中在鳍形沟道结构和衬底表面上覆盖氧化物层；

第三步骤，其中干法蚀刻或SICONI蚀刻氧化物层直到鳍形沟道结构顶部上表面及顶部拐角处的鳍形沟道结构材料露出；

第四步骤，其中对露出的鳍形沟道结构进行外延生长，以形成处于鳍形沟道结构顶部的膨胀区域；

第五步骤，其中去除剩余的氧化物层；

第六步骤，其中热氧化处理使所述鳍形沟道结构被完全氧化成氧化物，并且使得所述膨胀区域的表层被氧化成氧化物，所述膨胀区域的内层保持为未氧化状态；

第七步骤，其中去除氧化物，以便由暴露的内层形成悬空于衬底上方的沟道。

2.根据权利要求1所述的悬空栅极鳍形半导体器件制备方法，其特征在于还包括：

第八步骤，其中通过原子层沉积，形成全包围所述内层的第一高介电常数材料层，并同时在所述衬底表面形成第二高介电常数材料层。

3.根据权利要求2所述的悬空栅极鳍形半导体器件制备方法，其特征在于还包括：

第九步骤，其中通过溅射在高介电常数层表面沉积第一金属材料层，并同时在所述第二高介电常数材料层表面形成第二金属材料层。

4.根据权利要求2所述的悬空栅极鳍形半导体器件制备方法，其特征在于还包括：

第九步骤，其中在高介电常数层表面沉积第一多晶硅材料层，并同时在所述第二高介电常数材料层表面形成第二多晶硅材料层。

5.根据权利要求1或2所述的悬空栅极鳍形半导体器件制备方法，其特征在于，所述膨胀区域为圆球体形状或者椭圆体形状或者三角形结构。

6.根据权利要求1或2所述的悬空栅极鳍形半导体器件制备方法，其特征在于，所述翅片结构硅基体由单晶硅构成。

7.根据权利要求1或2所述的悬空栅极鳍形半导体器件制备方法，其特征在于，所述翅片结构硅基体由锗硅或碳硅构成。

8.根据权利要求1或2所述的悬空栅极鳍形半导体器件制备方法，其特征在于，所述氧化物层为氧化硅。

9.根据权利要求1或2所述的悬空栅极鳍形半导体器件制备方法，其特征在于，所述氧化物层为SION。

10.根据权利要求1或2所述的悬空栅极鳍形半导体器件制备方法，其特征在于，在第七步骤中通过湿法蚀刻去除氧化物。